過(guò)去幾年,采用多線程或多內(nèi)核CPU的微處理器架構(gòu)有了長(zhǎng)足的發(fā)展?,F(xiàn)在它們已經(jīng)成為臺(tái)式電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置,并且在高端嵌入式市場(chǎng)的CPU中也已非常普及。這種發(fā)展是想要獲得更高性能的處理器設(shè)計(jì)師推動(dòng)的結(jié)果。但硅片技術(shù)
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此
“抓小偷”聲音報(bào)警電路
煤氣熄火報(bào)警電路
車胎漏氣報(bào)警電路
水開報(bào)警電路
晶體管聲控放大電路
節(jié)水電路
繼電器驅(qū)動(dòng)電流一般需要20-40mA或更大,線圈電阻100-200歐姆,因此要加驅(qū)動(dòng)電路1. 晶體管用來(lái)驅(qū)動(dòng)繼電器,必須將晶體管的發(fā)射極接地。具體電路如下:
電源效率對(duì)于便攜式設(shè)備以及模擬 IC 的噪聲抗擾度來(lái)說(shuō)都非常重要。本文主要介紹電壓參考電路,其不僅支持極低的工作靜態(tài)電流(低于 250nA),而且還符合標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。這
意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場(chǎng)領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝,可用于大輸出
在穩(wěn)定狀態(tài)左晶體管導(dǎo)通,而右晶體管截止。輸入負(fù)脈沖使左晶體管截止,右晶體管導(dǎo)通。隔一定時(shí)間反又恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)。這段時(shí)間即準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)時(shí)間決定于電容C和充放電電阻R的
摘要電源效率對(duì)于便攜式設(shè)備以及模擬 IC 的噪聲抗擾度來(lái)說(shuō)都非常重要。本文主要介紹電壓參考電路,其不僅支持極低的工作靜態(tài)電流(低于 250nA),而且還符合標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝。
紅外線遙控繼電器電路b
紅外線遙控繼電器電路a
觸摸開關(guān)電源電路
激光器電源電路
晶體管可控整流電路d
晶體管可控整流電路c
晶體管可控整流電路b