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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)MCU代工技術(shù)
專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造一直是宏力半導(dǎo)體的公司戰(zhàn)略方向。近日宏力宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPR
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做特色代工 宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)MCU代工技術(shù)
專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造一直是宏力半導(dǎo)體的公司戰(zhàn)略方向。近日宏力宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPR
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宏力半導(dǎo)體MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌
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應(yīng)用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身的0.1
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俄羅斯Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產(chǎn)線
據(jù)國外媒體報(bào)道，日前，俄羅斯芯片制造商JSCMikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片，此前的0.18微
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英科學(xué)家成功研制納米級光學(xué)顯微鏡
英國和新加坡研究人員1日報(bào)告說，他們制造出能夠觀測50納米大小物體的光學(xué)顯微鏡，這是迄今觀測能力最強(qiáng)的光學(xué)顯微鏡，也是世界上第一個(gè)能在普通白光照明下直接觀測納米級物體的光學(xué)顯微鏡。 英國曼徹斯特大學(xué)
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俄羅斯Mikron與意法聯(lián)手開發(fā)90nm生產(chǎn)線
據(jù)國外媒體報(bào)道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片，此前的0.18
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Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產(chǎn)線
據(jù)國外媒體報(bào)道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片，此前的0.18
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宏力半導(dǎo)體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在使用較少光罩層數(shù)的同時(shí)，創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)OTP最小單元
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Mikron 意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產(chǎn)線
據(jù)國外媒體報(bào)道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。 該Fab將耗資4億美元，預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片，此前的0.
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宏力半導(dǎo)體宣布 用于微控制器的OTP制程成功量產(chǎn)
中國上海，2011年3月——上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OT
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宏力半導(dǎo)體和力旺電子宣布應(yīng)用于微控制器的低成本高效率OTP制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：創(chuàng)新發(fā)展進(jìn)行時(shí)
中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2010年，我國國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額1440億元，實(shí)現(xiàn)近30%的高增長。不僅如此，在國家對研發(fā)創(chuàng)新給予重點(diǎn)投入與大力扶持的幫助下，在我國半導(dǎo)體企業(yè)的不懈努力下，我國半導(dǎo)體技術(shù)
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：創(chuàng)新發(fā)展進(jìn)行時(shí)
中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2010年，我國國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額1440億元，實(shí)現(xiàn)近30%的高增長。不僅如此，在國家對研發(fā)創(chuàng)新給予重點(diǎn)投入與大力扶持的幫助下，在我國半導(dǎo)體企業(yè)的不懈努力下，我國半導(dǎo)體技術(shù)
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：創(chuàng)新發(fā)展進(jìn)行時(shí)
中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2010年，我國國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額1440億元，實(shí)現(xiàn)近30%的高增長。不僅如此，在國家對研發(fā)創(chuàng)新給予重點(diǎn)投入與大力扶持的幫助下，在我國半導(dǎo)體企業(yè)的不懈努力下，我國半導(dǎo)體技術(shù)
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北卡羅萊納州立大學(xué)研究出一種能提高LED發(fā)光材料質(zhì)量的新技術(shù)
日前外媒報(bào)導(dǎo)，北卡羅萊納州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個(gè)數(shù)量級缺陷，來提高LED發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。 研究人員介紹，通過該技術(shù)，相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能，對于低電能輸入和紫
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1.1微米和1.4微米背照式圖像傳感器（Aptina）
Aptina日前宣布，該公司將在2011年世界移動(dòng)通信大會(huì)上展示其新型1.1微米和1.4微米背照式（BSI）圖像傳感器，此次大會(huì)將在西班牙巴塞羅那舉行。獲邀嘉賓將可以觀看用于移動(dòng)應(yīng)用的8兆像素（MP）1/4” 1.1微米背照
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聯(lián)電1月營收95.3億元 年增10.75%
聯(lián)電公布自結(jié)2011年1月營收，受到產(chǎn)品組合、制程轉(zhuǎn)換和新臺(tái)幣升值等因素影響，1月營收較上月小幅減少6.42%，為新臺(tái)幣95.3億元，年增率10.75%。2月受到農(nóng)歷春節(jié)工作天數(shù)減少影響，營收會(huì)再下滑，整體第1季的營收趨勢將
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聯(lián)電1月營收95.3億元 年增10.75%
連于慧／臺(tái)北 聯(lián)電公布自結(jié)2011年1月營收，受到產(chǎn)品組合、制程轉(zhuǎn)換和新臺(tái)幣升值等因素影響，1月營收較上月小幅減少6.42%，為新臺(tái)幣95.3億元，年增率10.75%。2月受到農(nóng)歷春節(jié)工作天數(shù)減少影響，營收會(huì)再下滑，整體第
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一種可促使LED更有效開發(fā)的新技術(shù)問世
據(jù)sify.com網(wǎng)站報(bào)道，LED照明主要依賴于氮化鎵薄膜的發(fā)光二極管。北卡羅萊納州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)了一種新的技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)能將把薄膜中的缺陷降低2~3個(gè)數(shù)量級。Salah Bedair教授指出，這將提高發(fā)光材料的質(zhì)量，因此，相同的
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