一種可促使LED更有效開發(fā)的新技術(shù)問世
Bedair教授和Nadia El-Masry教授的實(shí)驗(yàn)是將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬,0.5微米的空間間隙。研究人員在實(shí)驗(yàn)影像中發(fā)現(xiàn),許多缺陷會(huì)被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此,他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后,成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。
如果沒有這個(gè)空隙技術(shù),每平方厘米的氮化鎵薄膜將會(huì)有大約1010個(gè)缺陷。然而使用了這個(gè)技術(shù)后,每平方厘米的缺陷將會(huì)降到大約107。Bedair教授表示,“雖然這種技術(shù)將增加一個(gè)額外的制造步驟,但它會(huì)制造出更高質(zhì)量、更有效的發(fā)光二極管。”