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Aptina新增1.1微米和1.4微米背照式圖像傳感器

Aptina日前宣布，該公司將在2011年世界移動(dòng)通信大會(huì)上展示其新型1.1微米和1.4微米背照式（BSI）圖像傳感器，此次大會(huì)將在西班牙巴塞羅那舉行。獲邀嘉賓將可以觀看用于移動(dòng)應(yīng)用的8兆像素（MP）1/4” 1.1微米背照式

消費(fèi)電子
2011-02-10

微米圖像傳感器 APTINA PI
聯(lián)電2010年財(cái)報(bào)

鄭茜文聯(lián)電2010年全年總出貨為約當(dāng)8吋晶圓452.2萬(wàn)片，營(yíng)收為1204.3億元，獲利 239 億元，每股盈余1.91 元，營(yíng)收獲利雙創(chuàng)新高。從制程比重來(lái)看，0.5微米以上制程占營(yíng)收比重5%，0.25/0.35微米制程占12%，0.15/0.

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2011-01-27

元件聯(lián)電晶圓廠微米
SOC設(shè)計(jì)方法

本文通過(guò)對(duì)集成電路IC技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀的討論和歷史回顧,特別是通過(guò)對(duì)電子整機(jī)設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的探討,引入系統(tǒng)芯片（System on Chip,簡(jiǎn)稱SOC）的定義,主要特點(diǎn)及其設(shè)計(jì)方法學(xué)等基本概念,并著重探討面向SOC的新一代集成電

數(shù)字電源
2011-01-11

IP核 BSP SOC設(shè)計(jì) 微米
SOC設(shè)計(jì)方法

SOC設(shè)計(jì)方法

嵌入式教程
2011-01-11

IP核 BSP SOC設(shè)計(jì) 微米
臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)北DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70％，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，記憶體業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空

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2011-01-04

DRAM PID DDR3 微米
0.18微米BCD工藝在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)是華虹NEC針對(duì)數(shù)字電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、音頻功放、LED驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)

消費(fèi)電子
2010-12-30

華虹 NEC BCD 微米
華虹NEC先進(jìn)BCD180工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)今日宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD(Bipolar CMOS DMOS)--BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-30

華虹 NEC BCD 微米
國(guó)際領(lǐng)先的0.18微米BCD工藝平臺(tái)在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD（Bipolar CMOS DMOS）--BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)是華虹NEC針對(duì)數(shù)字電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、

消費(fèi)電子
2010-12-29

華虹 NEC BCD 微米
0.18微米BCD工藝在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD（Bipolar CMOS DMOS）--BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)是華虹NEC針

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2010-12-29

華虹 NEC BCD 微米
芯片界掀起3D風(fēng)

當(dāng)半導(dǎo)體器件工藝進(jìn)展到納米級(jí)別以后，傳統(tǒng)的二維平面晶體管結(jié)構(gòu)遇到諸多問(wèn)題，人們將目光投向了三維立體結(jié)構(gòu)。 2010年，當(dāng)電影和電視刮起“3D”旋風(fēng)的時(shí)候，芯片產(chǎn)業(yè)界也掀起了“3D”風(fēng)潮，

消費(fèi)電子
2010-12-29

IBM 芯片 BSP 微米
華虹NEC BCD180工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)今日宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD(Bipolar CMOS DMOS)--BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺(tái)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-28

華虹 NEC BCD 微米
一種全新的深亞微米IC設(shè)計(jì)方法

本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計(jì)流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計(jì)方法。眾所周知，傳統(tǒng)的IC設(shè)計(jì)流程通常以文本形式的說(shuō)明開(kāi)始，說(shuō)明定義了芯片的功能和目標(biāo)性能。大部分芯片被劃分成便于

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-23

IC設(shè)計(jì) BSP CE 微米
華潤(rùn)上華：模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

-手機(jī)功放優(yōu)勢(shì)會(huì)擴(kuò)大，模擬IDM的輕資產(chǎn)化將指日可待 -針對(duì)戰(zhàn)略性新興市場(chǎng)，選擇特定產(chǎn)品應(yīng)用，走差異化之路 “雖然很多模擬IDM企業(yè)的6英寸晶圓廠都存在了20年甚至30年了，又設(shè)立在美國(guó)等一些成本非常高的地方，

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2010-12-23

模擬 DM 微米
報(bào)價(jià)直落晶片廠微縮競(jìng)賽

USB 3.0需求逐步浮現(xiàn)，但價(jià)格壓力仍然存在，為了降低生產(chǎn)成本因應(yīng)降價(jià)壓力，國(guó)內(nèi)各USB 3.0控制晶片業(yè)者除了開(kāi)始提高投片量，也同步展開(kāi)制程微縮。據(jù)晶圓代工業(yè)者透露，睿思（Fresco Logic）及銀燦已透過(guò)智原（3035）

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2010-12-23

USB 晶片控制微米
宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程工具包

宏力半導(dǎo)體專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。與標(biāo)準(zhǔn)0.5和0.35微米的電源管理CDM

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2010-12-20

半導(dǎo)體電壓 MOS 微米
宏力半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。與標(biāo)準(zhǔn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-20

半導(dǎo)體電壓 MOS 微米
模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

-手機(jī)功放優(yōu)勢(shì)會(huì)擴(kuò)大，模擬IDM的輕資產(chǎn)化將指日可待 -針對(duì)戰(zhàn)略性新興市場(chǎng)，選擇特定產(chǎn)品應(yīng)用，走差異化之路　　 “雖然很多模擬IDM企業(yè)的6英寸晶圓廠都存在了20年甚至30年了，又設(shè)立在美國(guó)等一些成本非常高

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2010-12-17

模擬 DM 微米
模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

-手機(jī)功放優(yōu)勢(shì)會(huì)擴(kuò)大，模擬IDM的輕資產(chǎn)化將指日可待-針對(duì)戰(zhàn)略性新興市場(chǎng)，選擇特定產(chǎn)品應(yīng)用，走差異化之路“雖然很多模擬IDM企業(yè)的6英寸晶圓廠都存在了20年甚至30年了，又設(shè)立在美國(guó)等一些成本非常高的地方，但這些I

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2010-12-17

模擬 DM 微米
模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

·手機(jī)功放優(yōu)勢(shì)會(huì)擴(kuò)大，模擬IDM的輕資產(chǎn)化將指日可待·針對(duì)戰(zhàn)略性新興市場(chǎng)，選擇特定產(chǎn)品應(yīng)用，走差異化之路“雖然很多模擬IDM企業(yè)的6英寸晶圓廠都存在了20年甚至30年了，又設(shè)立在美國(guó)等一些成本非常高的地方，但這些

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2010-12-16

模擬 DM 微米
模擬代工企業(yè)與IC設(shè)計(jì)企業(yè)合作漸入佳境

“雖然很多模擬IDM企業(yè)的6英寸晶圓廠都存在了20年甚至30年了，又設(shè)立在美國(guó)等一些成本非常高的地方，但這些IDM的毛利潤(rùn)還能夠達(dá)到相當(dāng)高的水準(zhǔn)。其中的原因是因?yàn)樗麄兊脑O(shè)計(jì)與工藝是完全匹配的，在任何一個(gè)環(huán)節(jié)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-15

模擬 IC設(shè)計(jì) DM 微米

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微米

Aptina新增1.1微米和1.4微米背照式圖像傳感器

聯(lián)電2010年財(cái)報(bào)

SOC設(shè)計(jì)方法

SOC設(shè)計(jì)方法

臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

0.18微米BCD工藝在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

華虹NEC先進(jìn)BCD180工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)

國(guó)際領(lǐng)先的0.18微米BCD工藝平臺(tái)在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

0.18微米BCD工藝在華虹NEC進(jìn)入量產(chǎn)

芯片界掀起3D風(fēng)

華虹NEC BCD180工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)

一種全新的深亞微米IC設(shè)計(jì)方法

華潤(rùn)上華：模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

報(bào)價(jià)直落晶片廠微縮競(jìng)賽

宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程工具包

宏力半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程

模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

模擬代工廠漸顯競(jìng)爭(zhēng)力

模擬代工企業(yè)與IC設(shè)計(jì)企業(yè)合作漸入佳境

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