和艦科技、常憶科技與晶心科技于日前共同推動MCU解決方案,為MCU集成電路設計業(yè)者提供在0.18微米工藝上易于集成的32位微控制器,添加嵌入式閃存硅智財?shù)恼w組合、以及一條龍晶圓代工解決方案。此次和艦科技、常憶科
(蘇州)和艦科技、常憶科技及晶心科技于日前共同推動MCU解決方案,為MCU集成電路設計業(yè)者提供了在0.18微米工藝上,易于集成的32位微控制器添加嵌入式閃存硅智財?shù)恼w組合及一條龍晶圓代工解決方案。和艦科技是位于中
和艦科技、常憶科技及晶心科技于日前共同推動MCU解決方案,為MCU 集成電路設計業(yè)者提供了在0.18微米工藝上,易于集成的32位微控制器添加嵌入式閃存硅智財?shù)恼w組合及一條龍晶圓代工解決方案。和艦科技是位于中國蘇
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(29)日宣布,推出A+制程技術解決方案,持續(xù)推升8寸晶圓制造能力,聯(lián)電成為業(yè)界唯一在8寸晶圓廠中,提供最完整的0.11微米后段全鋁A+技術平臺的晶圓代工廠。 聯(lián)電表示,A+制程技術解決方
大量的研究表明,硫在高容量電池中是一種很有前途的負極材料,并且價格低廉,對環(huán)境影響小。但硫的導電性能差,硫化物在電解質溶液中的溶解性以及放電過程中的體積膨脹使得硫電池的使用壽命短,能源利用率低。斯坦福
近日,美國斯皮策望遠鏡公布了深度灰塵星云紅外圖像,該星云是著名的梅西爾78星云,它看上去猶如搖滾巨星佩戴的一副綠色墨鏡。兩個圓形綠色星云在太空環(huán)繞的暗色灰塵云中形成“空腔”。這些延伸的灰塵星云非常黑暗,
超純水機對人們生活飲用水質量進行著把關,如果維護不當,很容易產(chǎn)生問題。水質差、日常不注重清洗維護會加重縮短超純水器的使用期。在超純水器的水箱及RO膜表面極易產(chǎn)生菌膜,菌膜會使純水器的運轉出現(xiàn)問題,如造成
1994年初日本光電子產(chǎn)業(yè)技術振興協(xié)會公布了日本激光-光電子產(chǎn)業(yè)1992-1993年的產(chǎn)值,這里只介紹1993年的情況。1993年日本光電產(chǎn)業(yè)預測產(chǎn)值為37850億日元(若以110日本:1美元計算,則應為344億美元),比1992年的3506
中國大陸近來積極發(fā)展本土高世代面板生產(chǎn)線,相關TFT關鍵零組件材料之產(chǎn)品技術開發(fā),亦陸續(xù)啟動。據(jù)指出,中國南洋科技已經(jīng)與韓國閔泳福、金重錫協(xié)商,將于浙江省臺州經(jīng)濟開發(fā)區(qū),共同投資設立光學膜合資公司,主要將
如果把美芯比作長跑選手,那么他已經(jīng)度過了最難克服的極點。目前美芯的銷售額已經(jīng)達到了一個足以支撐公司健康成長的數(shù)字,而成功的決竅在于掌握了正確的方法?!安⒉皇俏矣蔚帽饶切┩艘鄣膶I(yè)運動員更快,而是我采用
連于慧/臺北 嵌入式非揮發(fā)性記憶體(embedded Non-Volatile Memory;eNVM) IP供應商力旺17日指出,將擴大與宏力半導體合作,旗下關鍵技術單次可程式(One Time Programmable;OTP)和多次可程式(Multi Time Programmab
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道,美國波士頓兒童醫(yī)院和麻省理工學院工程與材料專家通過納米技術,用微細的金線制成了一種心臟補丁,大大提高了現(xiàn)有心臟補丁的導電性,其上的所有心肌細胞都能跳動。研究人員希望這種補丁
聯(lián)電(2303)宣布,與億而得微電子的共同開發(fā)專案已成功,將推出晶圓專工業(yè)界面積最小的MTP非揮發(fā)性存儲器IP解決方案。0.18微米制程預期將于今年下半年進入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,此一解決方案將使客戶得以于單一芯片上嵌入
人們對于電子產(chǎn)品的追求似乎只有兩個關鍵字“輕薄”,恨不得一個手機“全副武裝”,配備所有的功能—如果可以,就像那部關于蘋果主宰世界的視頻里一樣,能在iPad上煎個蛋也不錯。 這個要求讓那些生產(chǎn)電子產(chǎn)品的公司們
中國頂尖設計公司已經(jīng)采用28納米尖端技術開發(fā)芯片,而本地9.2%無晶圓廠半導體公司亦采用先進的45納米或以下的工藝技術進行設計及大規(guī)模量產(chǎn)。這是昨日記者從環(huán)球資源“中國IC設計公司成就獎頒獎典禮”上獲得的信息。
Global Sources旗下企業(yè)聯(lián)盟 eMedia Asia Limited 出版的電子設計刊物《電子工程專輯》(EE Times-China) 近日公布了“第十屆中國 IC 設計公司調查”的結果。調查顯示,中國頂尖 IC 設計公司已經(jīng)采用了 28 納米尖端技
環(huán)球資源 Global Sources (NASDAQ: GSOL) 旗下企業(yè)聯(lián)盟 eMedia Asia Limited 出版的電子設計刊物《電子工程專輯》(EE Times-China) 近日公布了“第十屆中國 IC 設計公司調查”的結果。調查顯示,中國頂尖 IC 設計公
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303)昨(30)日宣布推出嵌入式可電刪可編程唯讀存儲器(eEEPROM)新制程,技術研發(fā)上也有突破性進展,聯(lián)電將推出I/O電壓范圍為1.8V至5V,寫入抹除耐久性為100萬次的解決方案,嵌入式eEEPROM可應
因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存,且在編程時需要流過mA級以上的電流,所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓,內部的電荷泵。在設計此類電荷泵時,擊穿電壓和體效應的影響
1英尺=12英寸1英寸inch=1000密爾mil1mil=25.4um1mil=1000uin mil密耳有時也成英絲1um=40uin(有些公司稱微英寸為麥,其實是微英寸)1OZ=28.35克/平方英尺=35微米H=18微米4mil/4mil=0.1mm/0.1mm線寬線距1ASD=1安培/平