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搶攻20奈米缺陷檢測 科磊eDR-7000上陣
值此晶圓廠先進(jìn)制程邁入20奈米以下的世代交替之際，讓更高晶圓缺陷檢測精準(zhǔn)度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設(shè)備重要性劇增。也因此，科磊(KLA-Tencor)瞄準(zhǔn)20奈米(nm)及以下制程節(jié)點(diǎn)發(fā)表eDR-7000，將為挹注2012
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芯碩精密機(jī)械落戶天津開發(fā)區(qū)
天津芯碩精密機(jī)械有限公司落戶簽字儀式暨老廠房改造開工儀式在天津開發(fā)區(qū)舉行。天津開發(fā)區(qū)(南港工業(yè)區(qū))管委會(huì)黨組書記、管委會(huì)主任何樹山，工信部電子信息司副司長刁石京，芯碩半導(dǎo)體有限責(zé)任公司董事長劉鈞，濱海新
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富士通導(dǎo)入0.18微米FRAM生產(chǎn)技術(shù)
富士通半導(dǎo)體發(fā)展新一代內(nèi)存技術(shù)鐵電隨機(jī)內(nèi)存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技術(shù)已久，日前正式以0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列，容量分別為256Kb、128Kb和
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最新統(tǒng)計(jì)：2011年第一季全球晶圓廠產(chǎn)能利用率93.7%
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(SICAS)，相關(guān)顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上，整體半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率為93.7%；事實(shí)上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀
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1Q\'11全球半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率上攀93.7%
根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)最新調(diào)查顯示，2011年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%，較2010年第4季的92.9%再度向上攀升，此外，就個(gè)別領(lǐng)域來看，絕大多數(shù)半導(dǎo)體元件產(chǎn)能利用率均超過90%。與2010年第4季相較，產(chǎn)能利用
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1Q\'11全球半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率上攀93.7%
根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)最新調(diào)查顯示，2011年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%，較2010年第4季的92.9%再度向上攀升，此外，就個(gè)別領(lǐng)域來看，絕大多數(shù)半導(dǎo)體元件產(chǎn)能利用率均超過90%。與2010年第4季相較，產(chǎn)能利用
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全球半導(dǎo)體第一季產(chǎn)能利用率上升
根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)最新調(diào)查顯示，2011年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%，較2010年第4季的92.9%再度向上攀升，此外，就個(gè)別領(lǐng)域來看，絕大多數(shù)半導(dǎo)體元件產(chǎn)能利用率均超過90%。與2010年第4季相較，產(chǎn)能利用
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2011年Q1全球晶圓廠產(chǎn)能利用率93.7%
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(SICAS)，相關(guān)顯示大多數(shù)區(qū)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都在九成以上，整體半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率為93.7%；事實(shí)上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能在第一季仍接近售罄的狀
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茂德產(chǎn)能
連于慧 茂德原本有2座12吋晶圓廠，竹科12吋晶圓廠在2010年賣給旺宏，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)ROM和NOR Flash產(chǎn)品線；原本大陸還有一座渝德8吋廠，日前也宣布賣給中國航天，目前旗下僅剩中科12吋晶圓廠。 此座12吋晶圓廠經(jīng)歷20
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資本市場支持 中山集成電路產(chǎn)業(yè)受惠
未來5到10年，中山集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展存在諸多利好因素，包括市場需求大、政策和資本市場支持，“十二五”期間國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將步入發(fā)展黃金期。近日，海關(guān)總署發(fā)布了2011年第30號公告，對外公告了海關(guān)支持集成電路
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中山逾百家集成電路企業(yè)將受惠
未來5到10年，中山集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展存在諸多利好因素，包括市場需求大、政策和資本市場支持，“十二五”期間國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將步入發(fā)展黃金期。中山網(wǎng)訊近日，海關(guān)總署發(fā)布了2011年第30號公告，對外公告了海關(guān)支持
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中芯國際：半導(dǎo)體技術(shù)要追上國際水平
吳漢明創(chuàng)業(yè)感言 半導(dǎo)體芯片是搶時(shí)間的行業(yè)，我喜歡做有研究性質(zhì)的前沿技術(shù)，也一直在搶時(shí)間，我希望通過中芯國際的平臺(tái)，努力地在北京亦莊推動(dòng)中國半導(dǎo)體的發(fā)展。 “痛并快樂著，如果人生再重來一次，我還是會(huì)選
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中芯國際2010年財(cái)報(bào)要點(diǎn)分析：凈利潤1400萬美元
據(jù)國外媒體報(bào)道，中芯國際（紐交所股票代碼：SMI；聯(lián)交所股票代碼：0981.HK）今日欣然發(fā)布了公司及子公司截至2010年12月31日的審計(jì)后合并年報(bào)。財(cái)報(bào)顯示其2010年全年凈利潤1400萬美元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧。財(cái)報(bào)要點(diǎn)：中芯
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中芯國際2010年凈利潤1400萬美元
據(jù)國外媒體報(bào)道，中芯國際今日欣然發(fā)布了公司及子公司截至2010年12月31日的審計(jì)后合并年報(bào)。財(cái)報(bào)顯示其2010年全年凈利潤1400萬美元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧。財(cái)報(bào)要點(diǎn)：中芯國際2010年?duì)I收為15.548億美元，與2009年的10.704億
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中芯國際2010年凈利潤1400萬美元 同比扭虧
據(jù)國外媒體報(bào)道，中芯國際（紐交所股票代碼：SMI；聯(lián)交所股票代碼：0981.HK）今日欣然發(fā)布了公司及子公司截至2010年12月31日的審計(jì)后合并年報(bào)。財(cái)報(bào)顯示其2010年全年凈利潤1400萬美元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧。財(cái)報(bào)要點(diǎn)：中芯
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宏力半導(dǎo)體高低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 （宏力半導(dǎo)體），宣布其專為微控制器（MCU）開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式閃存）以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的
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Aptina 1.1微米背照式制程
胡皓婷 全球CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor；CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場，預(yù)期至2012年起，1,200萬畫素CIS將成為下一代趨勢。為符合終端需求，Aptina在1.4微米產(chǎn)品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumin
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宏力半導(dǎo)體高低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 （宏力半導(dǎo)體），宣布其專為微控制器（MCU）開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式閃存）以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的
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臺(tái)積 拚大陸8寸廠一哥
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）已向上海官方提出申請，上海松江8寸廠第2期工程將于近期動(dòng)工，預(yù)計(jì)將現(xiàn)有產(chǎn)能由每月5萬片大幅提高至每月11萬片，完工后將成為中國大陸最大的8寸廠，并能支持0.13微米制程的生產(chǎn)線。據(jù)了解
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宏力半導(dǎo)體高/低端MCU工藝制程成功量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺(tái)。低本高效的OTP技
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