-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
-
國家釋放政策紅利 功率半導體產(chǎn)業(yè)進入黃金發(fā)展期
據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體加速導入 元器件廠商拼殺
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
-
21ic新聞大爆炸：新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈
1、新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務之后，價格競爭將更為激
-
元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)
-
AMAT全方位強化功率半導體生產(chǎn)設備業(yè)務
美國應用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準近年來需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場，將強化200mm晶圓生產(chǎn)設備相關業(yè)務，將來還打算支持功率半導體領域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。AMAT的主力業(yè)務歸根結(jié)底還
-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首
汽車傳感器市場領導者英飛凌科技股份公司（法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY）連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場
-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首，進一步鞏固領導地位
英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%
-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首，進一步鞏固領導地位
2013年12月24日，汽車傳感器市場領導者英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%接近。
-
尼康強化半導體曝光裝置升級業(yè)務瞄準功率半導體和三維LSI
尼康將對根據(jù)用途升級已售半導體曝光裝置的服務進行強化。該公司于2013年春季在開展曝光裝置售后業(yè)務的子公司Nikon Tec設立了專屬組織“售后服務戰(zhàn)略室”。將于11月在尼康的臺灣子公司Nikon Precision Taiwan（NPT）
-
三安LED芯片領導地位加固 有望奪“行業(yè)巨擘”
LED半導體照明網(wǎng)訊 三安3季報符合預期，業(yè)績增速顯著提升。公司芯片業(yè)務繼續(xù)增長且盈利提高，布局LED應用、光伏電站、功率半導體打開更大空間，未來將打造成基于半導體技術的節(jié)能產(chǎn)業(yè)巨擘。維持目標價28元，
-
SiC功率半導體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關技術（圖1）。其中包括了兩大“驚
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務
在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮
