1、新一代功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間，估計(jì)會(huì)展開(kāi)激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。尤其是韓國(guó)、中國(guó)大陸和臺(tái)灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈。GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能夠沿用過(guò)去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6～8英寸Si基板的生產(chǎn)設(shè)備以及面向LED引進(jìn)的GaN類(lèi)半導(dǎo)體外延設(shè)備等，這將推動(dòng)亞洲企業(yè)涌進(jìn)該市場(chǎng)。

實(shí)際上，在2013年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”上，中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲企業(yè)紛紛發(fā)布了GaN功率元件方面的研究成果。其中，三星電子的成果備受關(guān)注。該公司已在口徑200mm(8英寸)的Si基板上試制出了GaN功率晶體管。

21ic編輯視點(diǎn)：與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說(shuō)，能夠削減成本。由此，未來(lái)GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間的激戰(zhàn)也是不無(wú)可能的。

2、誰(shuí)是2014LTE芯片市場(chǎng)大贏家：高通VS聯(lián)發(fā)科 IntelVS博通

2014年LTE晶片大戰(zhàn)白熱化。在聯(lián)發(fā)科、博通與英特爾等業(yè)者相繼推出LTE晶片方案后，高通在LTE晶片市場(chǎng)的占有率正逐漸被瓜分;將使2014年LTE晶片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)進(jìn)入新的局面。聯(lián)發(fā)科于11月底正式推出八核心智慧型手機(jī)方案--MT6592，布局高階市場(chǎng),在LTE市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得更多砝碼，也拉開(kāi)了這場(chǎng)大戰(zhàn)的序幕。高通隨即回?fù)糇C明其霸主地位。與此同時(shí)，博通與英特爾也在積極爭(zhēng)奪LTE榜眼的位置。全球LTTE市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將愈趨激烈。

21ic編輯視點(diǎn)：隨著LTE市場(chǎng)日趨熱鬧，雖然高通一家獨(dú)大占據(jù)著九成以上的市場(chǎng)，但風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，幾年后轉(zhuǎn)到誰(shuí)家還真說(shuō)不定。據(jù)Gartner預(yù)估，明年高通仍將占據(jù)八成以上市場(chǎng)份額穩(wěn)居狀元，聯(lián)發(fā)科則受惠于中國(guó)移動(dòng)等中國(guó)大陸電信商采購(gòu)案的營(yíng)收挹注緊追于后位居榜眼，至于博通及英特爾間的探花爭(zhēng)奪戰(zhàn)，則將由歐洲開(kāi)始延燒。LTE打的一片火熱，明年會(huì)給我們消費(fèi)者帶來(lái)什么驚喜呢，我們拭目以待。

3、國(guó)內(nèi)電壓最高IGBT芯片研制成功

近日消息，由湖南株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司自主研發(fā)的6500伏高壓IGBT芯片及模塊獲得了中國(guó)工程院、中國(guó)科學(xué)院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學(xué)、中南大學(xué)等單位的專(zhuān)家的肯定。該產(chǎn)品具有耐高壓、損耗低、可靠性強(qiáng)等特點(diǎn)，尤其是“解決了芯片短路電流能力與關(guān)斷能力難協(xié)調(diào)的國(guó)際性技術(shù)難題”。據(jù)介紹，6500伏IGBT芯片是國(guó)內(nèi)目前電壓等級(jí)最高超級(jí)芯片，與3300伏芯片相比，其功耗降低10%以上，功率提高25%以上，最高工作溫度可到150℃，可靠性更強(qiáng)、安全性能更高、應(yīng)用范圍更廣。該產(chǎn)品研制成功，打破了國(guó)外在這一領(lǐng)域的技術(shù)封鎖，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

21ic編輯視點(diǎn)：此前，雖然我國(guó)掌握了低電壓等級(jí)條件下IGBT芯片產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、封裝等成套技術(shù)。但高電壓IGBT芯片技術(shù)一直被英飛凌、ABB、三菱等少數(shù)幾個(gè)國(guó)外企業(yè)壟斷、控制。隨著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，IGBT芯片的需求也日益增長(zhǎng)，我國(guó)成為了全球最大的IGBT需求國(guó)。南車(chē)時(shí)代高電壓IGBT的研發(fā)，打破了國(guó)外技術(shù)的壟斷，為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

4、科學(xué)家研制出太陽(yáng)能充電手機(jī)屏幕 實(shí)現(xiàn)"無(wú)限電量"

國(guó)外科學(xué)家最新研制出一種太陽(yáng)能充電手機(jī)屏幕，能夠使手機(jī)隨時(shí)隨地保持充電狀態(tài)，讓手機(jī)電量幾乎“永不枯竭”。報(bào)道稱(chēng)，只要暴露在陽(yáng)光下，這種智能屏幕每10分鐘就可產(chǎn)生大約16分鐘的手機(jī)通話電量。同時(shí)，其在人造光線下還有不俗的發(fā)電能力。這項(xiàng)成果是基于光電轉(zhuǎn)換的新技術(shù)，其原理與普通太陽(yáng)能電池不同，它體積更小、轉(zhuǎn)換效率更高，并且具有極高的透明性。該技術(shù)可適用于各種屏幕和窗戶(hù)，甚至能將任何物體表面作為能量來(lái)源。

21ic編輯視點(diǎn)：智能手機(jī)最令人頭痛的就是電池續(xù)航問(wèn)題，各種新的充電方法也陸續(xù)出現(xiàn)。除了無(wú)線充電如火如荼以外，最近以“太陽(yáng)光充電器”人們利用發(fā)電產(chǎn)品自己給智能手機(jī)充電的話題也成了熱點(diǎn)。如果解決了發(fā)電效率低、成本高、日常使用花費(fèi)大等障礙的話，購(gòu)買(mǎi)新手機(jī)到下次換手機(jī)為止無(wú)需充電這樣的“無(wú)需充電手機(jī)”也有實(shí)現(xiàn)的可能性，智能手機(jī)充電技術(shù)還有待進(jìn)一步發(fā)展和普及。

5、未來(lái)屏幕：觸摸屏?xí)豢諝馄了〈鷨?

根據(jù) Displair公司的創(chuàng)始人、俄羅斯設(shè)計(jì)師 Max Kamanin 的說(shuō)法，由薄霧和空氣所形成的高科技顯示屏將是“可視化技術(shù)的未來(lái)”。此前他們公司發(fā)布的空氣觸摸屏已經(jīng)展示過(guò)了這種實(shí)現(xiàn)方式，那就是將3D影像投影到空氣中的薄霧上，制造出全息影像。Kamanin 解釋說(shuō)：“空氣屏是由類(lèi)似云層中的極小的水滴所構(gòu)成的，由于這種水滴極其細(xì)小，所以并不會(huì)周?chē)h(huán)境的濕度造成影響。如果拿紙張或用眼鏡進(jìn)行測(cè)試，你就會(huì)發(fā)現(xiàn)沾過(guò)空氣屏的紙依然是干的，而眼鏡上也不會(huì)出現(xiàn)水霧。當(dāng)影像投影到這些小水滴上，我們就可以看到空氣屏顯示出投影的內(nèi)容。”由空氣、水分和光所組成的 Displair(空氣屏)，是新興的全息及3D投影產(chǎn)業(yè)中的簡(jiǎn)單概念之一。

21ic編輯視點(diǎn)：如果按鍵是屏幕的過(guò)去，觸屏是它的現(xiàn)在，那么屏幕的未來(lái)是什么?這可不是一個(gè)小打小鬧的謎語(yǔ)，這是個(gè)嚴(yán)肅且有深度的問(wèn)題。一旦有了空氣屏，人們就不再需要玻璃屏這種東西了，因?yàn)槲覀円呀?jīng)進(jìn)入了無(wú)形屏幕的時(shí)代。但是現(xiàn)在還需要多專(zhuān)研基礎(chǔ)技術(shù)，提高圖片的質(zhì)量和空氣屏的反應(yīng)速度才是目前的研究重點(diǎn)。