尼康強(qiáng)化半導(dǎo)體曝光裝置升級業(yè)務(wù)瞄準(zhǔn)功率半導(dǎo)體和三維LSI
與購買新的曝光裝置相比,將顧客現(xiàn)有的裝置按照用途升級后,“可以將顧客的成本負(fù)擔(dān)降至幾分之一”(Nikon Tec董事社長石井勇樹)。
比如,通過升級Si-LSI制造中采用的i線曝光裝置,可以將其用于制造化合物半導(dǎo)體類功率元器件等。在采用化合物半導(dǎo)體的功率元器件制造中,必須要有透過晶圓檢測定位標(biāo)記的紅外線定位系統(tǒng)等,因此將追加這類功能。
對于前景看好基于TSV(硅通孔)的三維LSI,將采取降低投影鏡的開口數(shù)(NA)以改善焦點(diǎn)深度(DOF:Depth Of Focus)等改造措施。此外,還將提供自動(dòng)對焦功能的改善、處理能力的提高、MEMS背面定位功能的追加等升級。
作為升級對象的曝光裝置是向亞洲(日本、臺灣、中國大陸、韓國、新加坡)客戶提供的合計(jì)約2640臺尼康生產(chǎn)的i線曝光裝置(約1990臺)和KrF曝光裝置(約650臺)。主要是200mm晶圓裝置,還包括部分150mm裝置和300mm裝置。另外,對于KrF曝光裝置,將更換有污垢的鏡頭或者進(jìn)行改進(jìn)等。(記者:木村 雅秀,日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查)