全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商快捷半導(dǎo)體宣布,位于韓國(guó)富川的八英寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動(dòng)。快捷半導(dǎo)體指出,新廠象征公司專(zhuān)注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案,以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面進(jìn)行投資。快捷半導(dǎo)體
全球功率半導(dǎo)體供應(yīng)商快捷半導(dǎo)體宣布,位于韓國(guó)富川的八英寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動(dòng)??旖莅雽?dǎo)體指出,新廠象征公司專(zhuān)注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案,以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面進(jìn)行投資。快捷半導(dǎo)體
“在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域早晚也會(huì)被亞洲勢(shì)力趕超”。日本某功率半導(dǎo)體技術(shù)人員感到了危機(jī)感。這是因?yàn)?,預(yù)見(jiàn)到未來(lái)市場(chǎng)的增長(zhǎng),中國(guó)大陸、韓國(guó)以及臺(tái)灣的企業(yè)和大學(xué)等加快了該領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)速度。1998年將功率IC部門(mén)出售
日立制作所2013年6月11日宣布,將于10月1日把旗下的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)交給子公司——日立原町電子工業(yè),構(gòu)建從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的一條龍?bào)w制。將通過(guò)公司分割,由日立原町電子接管日立功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)計(jì)、制造、品
日立制作所2013年6月11日宣布,將于10月1日把旗下的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)交給子公司——日立原町電子工業(yè),構(gòu)建從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的一條龍?bào)w制。將通過(guò)公司分割,由日立原町電子接管日立功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)計(jì)、制造、品
英飛凌科技股份公司和華為技術(shù)有限公司日前宣布,雙方將在新一代通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開(kāi)發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略合作,同時(shí)啟動(dòng)華為-英飛凌網(wǎng)絡(luò)能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。 在通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,華為選擇英飛凌作為其長(zhǎng)
21ic訊 英飛凌科技股份公司和華為技術(shù)有限公司今天宣布,雙方將在新一代通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開(kāi)發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略合作,同時(shí)啟動(dòng)華為-英飛凌網(wǎng)絡(luò)能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。在通信電源和數(shù)據(jù)中心能源開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,華為選擇英飛凌
日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年迅速下滑后,曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇,但由
日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年迅速下滑后,曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇,但由
日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年迅速下滑后,曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇,但
在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億
在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億
在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng),至2022年SiC和Ga
受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場(chǎng)總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場(chǎng)部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)體市場(chǎng)將會(huì)繼續(xù)呈下降趨勢(shì),相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會(huì)在2013年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)7.7%
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來(lái)的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶(hù)的首肯。從始至終,基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
21ic訊 功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高,因此,必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣,它們才能確保實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導(dǎo)熱膏。在高功率
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來(lái)的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶(hù)的首肯。從始至終,基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù),全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%,達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng) 作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支,功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間,對(duì)降低電路損耗、提
據(jù)IMS Research數(shù)據(jù),全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%,達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng)作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支,功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間,對(duì)降低電路損耗、提高電
功率半導(dǎo)體是僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支,運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間,對(duì)降低電路損耗、提高電源使用效率,發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)