功率半導(dǎo)體

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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

元器件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后，價格競爭將更為激

21ic專訪
2013-12-31

IGBT IC LTE 功率半導(dǎo)體
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2013-12-31

基板 GAN 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
AMAT全方位強化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

美國應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準(zhǔn)近年來需求高漲的功率半導(dǎo)體及MEMS器件市場，將強化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來還打算支持功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還

電子設(shè)計自動化
2013-12-30

器件晶圓 MEMS 功率半導(dǎo)體
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首

汽車傳感器市場領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY）連續(xù)十年位居世界功率半導(dǎo)體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場

消費電子
2013-12-24

英飛凌半導(dǎo)體市場代碼功率半導(dǎo)體
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位

英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導(dǎo)體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領(lǐng)域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%

電源
2013-12-24

英飛凌半導(dǎo)體市場電流功率半導(dǎo)體
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位

2013年12月24日，汽車傳感器市場領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導(dǎo)體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領(lǐng)域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%接近。

模擬
2013-12-24

英飛凌半導(dǎo)體市場電流功率半導(dǎo)體
尼康強化半導(dǎo)體曝光裝置升級業(yè)務(wù)瞄準(zhǔn)功率半導(dǎo)體和三維LSI

尼康將對根據(jù)用途升級已售半導(dǎo)體曝光裝置的服務(wù)進(jìn)行強化。該公司于2013年春季在開展曝光裝置售后業(yè)務(wù)的子公司Nikon Tec設(shè)立了專屬組織“售后服務(wù)戰(zhàn)略室”。將于11月在尼康的臺灣子公司Nikon Precision Taiwan（NPT）

半導(dǎo)體
2013-11-14

半導(dǎo)體尼康 LSI 功率半導(dǎo)體
三安LED芯片領(lǐng)導(dǎo)地位加固有望奪“行業(yè)巨擘”

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊三安3季報符合預(yù)期，業(yè)績增速顯著提升。公司芯片業(yè)務(wù)繼續(xù)增長且盈利提高，布局LED應(yīng)用、光伏電站、功率半導(dǎo)體打開更大空間，未來將打造成基于半導(dǎo)體技術(shù)的節(jié)能產(chǎn)業(yè)巨擘。維持目標(biāo)價28元，

顯示光電
2013-11-07

組件 LED芯片 EPS 功率半導(dǎo)體
SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化

“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚

半導(dǎo)體
2013-10-29

MOSFET SIC 功率半導(dǎo)體元件
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮

消費電子
2013-10-12

晶圓 SIC 功率半導(dǎo)體元件
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013&rdq

電子設(shè)計自動化
2013-10-11

晶圓 SIC 功率半導(dǎo)體元件
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”（日本宮

模擬
2013-10-11

晶圓 SIC 功率半導(dǎo)體元件

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功率半導(dǎo)體

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

AMAT全方位強化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首

英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位

英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位

尼康強化半導(dǎo)體曝光裝置升級業(yè)務(wù)瞄準(zhǔn)功率半導(dǎo)體和三維LSI

三安LED芯片領(lǐng)導(dǎo)地位加固有望奪“行業(yè)巨擘”

SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

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