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[導讀]1/25/2010,比利時Ghent大學和歐洲納米電子技術研究中心Imec及其在Ghent大學的聯(lián)合實驗室INTEC最近聯(lián)合在1月號的“自然光子”雜志發(fā)表了他們在硅芯片上實現(xiàn)超低功耗超小型超快電泵浦全光存儲器技術的研究成

1/25/2010,比利時Ghent大學和歐洲納米電子技術研究中心Imec及其在Ghent大學的聯(lián)合實驗室INTEC最近聯(lián)合在1月號的“自然光子”雜志發(fā)表了他們在硅芯片上實現(xiàn)超低功耗超小型超快電泵浦全光存儲器技術的研究成果,這一成果為實現(xiàn)更低功耗的光分組交換鋪平了道路。

Imec和Ghent的學者認識到快速低功耗光隨即存儲器技術對于光交換和光互聯(lián)系統(tǒng)降低對于光電轉(zhuǎn)換依賴的重要性。這種光隨機存儲器技術利用了直徑只有7.5微米的InP層微磁碟激光器,讓產(chǎn)生的光線在硅波導中順時針或者逆時針傳輸,同時利用超短脈沖在這兩種模式間轉(zhuǎn)換。

法國里昂大學的納米技術中心等也參與了這一研究項目。

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