防燒電路中的MOS管控制設計將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。

一、MOS管

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。

二、防燒電路中的MOS管控制設計

目前已有的防燒電路中的MOS管一個主要規(guī)格要求Vth低，當前使用的防燒MOS管Vth (Vgs=Vds，Id=250uA)小于1V。實際用1.8V的電壓來控制，可以完全打開MOS管了。但是當前Vth小于1V的功率MOS 阻抗偏大 Id較小。

如果要使用阻抗更小 Id更大的功率MOS，Vth(Vgs=Vds，Id=250uA) 在2.5V左右，現(xiàn)在手機平臺的GPIO是1.8V，未來還會進一步降低為1.2V。1.2V或者1.8V的電壓就不足與控制現(xiàn)有防燒MOS以及功率更大的功率MOS。

實際上可以在原來防燒MOS的電路上，通過增加Vth較低的小信號MOS，來實現(xiàn)1.2V/1.8V 電壓去控制打開Vth=2.5V 的功率MOS。原理介紹如下：

1、原防燒電路

原防燒功率MOS Vth較低，用1.8V完全可以控制打開。控制過程如下：

2、增加2個小信號NMOS管

通過增加2顆Vth較小(小于1.2V或1.8V)的NNOS，可以實現(xiàn)1.2V/1.8V的信號電平，來使能打開Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V來自于電池電壓或者VBOB?？刂七^程如下：

GPIO=1.2V ，G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS1導通，D1=S1=G2=0V，NMOS2關閉，D2=G3=3.4V，防燒MOS G3=3.4V，防燒MOS Vgs=3.4V，防燒MOS管打開。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS1關閉，D1=G2=G2=3.4V，NMOS2打開，D2=0V，Vgs=0V，防燒MOS G3=0V ，防燒MOS Vgs=0V，防燒MOS關閉。

3、增加一顆NMOS+一顆PMOS

通過增加2顆Vth較小(小于1.2V或1.8V)的NNOS和PMOS，可以實現(xiàn)1.2V/1.8V的信號電平，來使能打開Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V來自于電池電壓或者VBOB?？刂七^程如下：

GPIO=1.2V ，NMOS G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS導通，D1=S1=G2=0V，S2=3.4V，Vgs2=-3.4VV ，PMOS導通，D2=S2=3.4V，防燒MOS G=3.4V，防燒MOS Vgs=3.4V，防燒MOS管打開。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS關閉，D1=G2=S2=3.4V，D2=0V，Vgs=0V，PMOS關閉不導通，D2=0V，防燒MOS G=0V，Vgs=0V，防燒MOS關閉。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。