SRAM
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65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）
賽普拉斯半導體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯(lián)華電子（UMC）的芯片
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1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（賽普拉斯）
賽普拉斯半導體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實時時鐘（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS（Silicon Ox
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英特爾22納米制程技術最新動態(tài)
2009年秋季英特爾信息技術峰會(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國舊金山舉行。今天，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術的芯片。英特爾繼
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LED巨頭掀起三大戰(zhàn)役 產(chǎn)業(yè)格局愈戰(zhàn)愈明朗
全球LED產(chǎn)業(yè)格局為美國、亞洲、歐洲三足鼎立，世界主要廠商分布在美國、日韓、歐盟等地。他們擁有核心技術和專利，在GaN基藍光LED、白光LED等技術上處于領先地位。由此造成全球LED高端產(chǎn)品市場集中度較高，Cree、Phi
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世界五大LED制造商技術優(yōu)勢及介紹
科銳（CREE） 技術優(yōu)勢 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片級封裝技術； 2.大功率芯片和封裝技術。 旗艦產(chǎn)品 XLamp 2008-2009年企業(yè)狀況 2008年，Cree公司實現(xiàn)了年收入25%的增長，達到4.93億美元，其中LED產(chǎn)品銷
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FM14C88 F-RAM并口儲存器（Ramtron）
Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工
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Actel：快閃PFGA的引領者
隨著創(chuàng)新能力在全球范圍內(nèi)不斷擴展，市場呈現(xiàn)出“消費化”趨勢：新產(chǎn)品的設計周期、市場壽命縮短，而對于產(chǎn)品的節(jié)能、效率、設計靈活性以及可靠性要求卻日益增加，相對于ASIC、ASSP，F(xiàn)PGA的上市時間、開發(fā)成本、靈活
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臺積電28納米SRAM良率突破
臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的
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LED燈能源效率與省電燈泡相去不遠
雖然大家都知道，LED燈僅會耗費小部分的能量，就能產(chǎn)生與白熾燈泡同樣的光量，不過這只是我們所知的其中一小部分。有研究報告指出，其實LED燈與一般節(jié)能燈泡的能源效率相去不遠，而且LED燈整體生產(chǎn)過程可能相當耗能。
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一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺設計與實現(xiàn)
引 言 目前，通信干擾的手段以信號大功率壓制為主，本質(zhì)上屬于物理層能量干擾，存在效費比低，且容易暴露自身目標等缺點，而且隨著新的功率控制和信號處理技術的應用，通信大功率壓制干擾手段的應用遇到了瓶頸。
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世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功
美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。
