SRAM

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靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

SRAM在網(wǎng)絡中的應用

　　同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現(xiàn)，系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)

通信技術
2010-09-20

SRAM DDR 計數(shù)器
SRAM在網(wǎng)絡中的應用

SRAM在網(wǎng)絡中的應用

嵌入式軟件
2010-09-18

SRAM DDR 計數(shù)器
基于FPGA的可重構系統(tǒng)及其結構分析

摘要　系統(tǒng)可重構技術是滿足電子系統(tǒng)實時性和靈活性要求的先進技術。通過對FPGA結構和重構方式的分析，說明可重配置FPGA器件是可重構系統(tǒng)的良好載體，并提出準動態(tài)重構的概念。根據(jù)現(xiàn)有應用，提出了基于FPGA的可重構

電子設計自動化
2010-08-18

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重構系統(tǒng)及其結構分析

摘要　系統(tǒng)可重構技術是滿足電子系統(tǒng)實時性和靈活性要求的先進技術。通過對FPGA結構和重構方式的分析，說明可重配置FPGA器件是可重構系統(tǒng)的良好載體，并提出準動態(tài)重構的概念。根據(jù)現(xiàn)有應用，提出了基于FPGA的可重構

數(shù)字電源
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重構系統(tǒng)及其結構分析

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嵌入式軟件
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
SRAM特點及工作原理

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).　　基本簡介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一

智能硬件
2010-08-13

CPU 譯碼器存儲單元 SRAM
基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置

通信技術
2010-08-12

FPGA 單片機 OV SRAM
基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設計

　本文設計了基于DSP與FPGA的系統(tǒng)結構，采用了軟硬件填充的圖形處理方法，先由DSP軟件完成圖形輪廓生成，然后FPGA硬件圖形處理器根據(jù)圖形輪廓完成耗時的圖形填充，使系統(tǒng)在實時性方面取得了很好的效果并使得系統(tǒng)運算

數(shù)字電源
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設計

基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設計

嵌入式教程
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
SoC用低電壓SRAM技術

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最

模擬
2010-06-30

晶體管 SoC 低電壓 SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安

智能硬件
2010-06-28

器件賽普拉斯異步 SRAM
Everspin將MRAM容量提升到16Mb陰霾開始籠罩SRAM

EverspinMRAM的三大優(yōu)勢分別是：非易失能力(業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間)、超快的存取周期、無限次擦寫。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，幾乎與SRAM同一級別，并允許無限制的讀/

模擬
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
Everspin將MRAM容量提升到16Mb 陰霾開始籠罩SRAM

Everspin MRAM的三大優(yōu)勢分別是：非易失能力(業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間)、超快的存取周期、無限次擦寫。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，幾乎與SRAM同一級別，并允許無限制的讀

智能硬件
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術

瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI C

智能硬件
2010-06-24

電路技術控制電路電源控制 SRAM
華邦：NORFlash市場缺口達20%

華邦總經(jīng)理詹東義表示，NORFlash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NORFlash價格仍會持續(xù)調漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波

模擬
2010-06-23

SDRAM OS NORFLASH SRAM
NOR Flash市場缺口達20%

華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣

智能硬件
2010-06-23

Flash SDRAM MCP SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安

智能硬件
2010-06-22

器件賽普拉斯異步 SRAM
東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術

東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術

電子設計自動化
2010-06-22

東芝 SoC 低電壓 SRAM
以測試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學與STARC開發(fā)

對晶體管制造誤差導致的SRAM工作不穩(wěn)定性，在芯片制造后的測試工序上加以改善的方法，由東京大學研究生院工學系研究科電氣系工學專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導體理工學研究中心（STARC）聯(lián)手開發(fā)成功。該項成

模擬
2010-06-22

晶體管 ST RC SRAM
東芝等開發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

東芝在半導體制造技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術實現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“

模擬
2010-06-22

FPGA 芯片東芝 SRAM

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