SRAM
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一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
引 言 目前，通信干擾的手段以信號(hào)大功率壓制為主，本質(zhì)上屬于物理層能量干擾，存在效費(fèi)比低，且容易暴露自身目標(biāo)等缺點(diǎn)，而且隨著新的功率控制和信號(hào)處理技術(shù)的應(yīng)用，通信大功率壓制干擾手段的應(yīng)用遇到了瓶頸。
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高速SRAM產(chǎn)品系列（瑞薩）
瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）在2009年7月7日宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機(jī)使用的高速SRAM產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實(shí)現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+（QDRTM II+）和雙
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基于ADSP-BF537的無(wú)線視頻傳輸方案
0 引 言 無(wú)線通信技術(shù)和視頻壓縮技術(shù)的迅速發(fā)展，使得無(wú)線視頻傳輸成為人們研究的熱點(diǎn)。無(wú)線視頻傳輸具有數(shù)據(jù)量大，實(shí)時(shí)性要求高，無(wú)線信道資源有限的特點(diǎn)。新一代的視頻壓縮標(biāo)準(zhǔn)H．264結(jié)合專用視頻DSF芯片可
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基于ADSP-BF537的無(wú)線視頻傳輸方案
0 引 言 無(wú)線通信技術(shù)和視頻壓縮技術(shù)的迅速發(fā)展，使得無(wú)線視頻傳輸成為人們研究的熱點(diǎn)。無(wú)線視頻傳輸具有數(shù)據(jù)量大，實(shí)時(shí)性要求高，無(wú)線信道資源有限的特點(diǎn)。新一代的視頻壓縮標(biāo)準(zhǔn)H．264結(jié)合專用視頻DSF芯片可
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臺(tái)積電成功開發(fā)28納米低耗電制程，明年量產(chǎn)
臺(tái)積電(TSMC)宣布成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)制程，將32納米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米制程，使得半導(dǎo)體可以
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FPGA在激光測(cè)速靶中的應(yīng)用
0 引言 彈丸飛行速度的測(cè)量是武器系統(tǒng)各種運(yùn)動(dòng)參數(shù)中一項(xiàng)至關(guān)重要的內(nèi)容，它是衡量火炮特性、彈藥特性和彈道特性的一個(gè)重要指標(biāo)。在眾多的彈丸速度測(cè)量系統(tǒng)中，激光光幕區(qū)截測(cè)速靶以其精度高而獨(dú)具優(yōu)勢(shì)。但采用
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基于CPLD的VGA視頻顯示系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
引言 顯示系統(tǒng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)及日常生活中扮演著越來(lái)越重要的角色，因此，對(duì)其進(jìn)行設(shè)計(jì)與研究具有十分重要的意義?！ PLD(Complex Programmable Logic Device；復(fù)雜可編程邏輯器件)具有編程靈活、集成度高、
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基于CPLD的VGA視頻顯示系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
引言 顯示系統(tǒng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)及日常生活中扮演著越來(lái)越重要的角色，因此，對(duì)其進(jìn)行設(shè)計(jì)與研究具有十分重要的意義?！ PLD(Complex Programmable Logic Device；復(fù)雜可編程邏輯器件)具有編程靈活、集成度高、
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具有64位數(shù)據(jù)檢糾錯(cuò)功能的FPGA模塊設(shè)計(jì)
摘要：星載計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中電子器件容易受到空間環(huán)境電磁場(chǎng)的輻射和重粒子的沖擊，從而導(dǎo)致器件運(yùn)行出錯(cuò)，特別是存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)容易出現(xiàn)錯(cuò)誤，需要具有檢糾錯(cuò)功能的電路模塊對(duì)其進(jìn)行糾正，以免造成嚴(yán)重的后果?；跐h明碼
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具有64位數(shù)據(jù)檢糾錯(cuò)功能的FPGA模塊設(shè)計(jì)
摘要：星載計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中電子器件容易受到空間環(huán)境電磁場(chǎng)的輻射和重粒子的沖擊，從而導(dǎo)致器件運(yùn)行出錯(cuò)，特別是存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)容易出現(xiàn)錯(cuò)誤，需要具有檢糾錯(cuò)功能的電路模塊對(duì)其進(jìn)行糾正，以免造成嚴(yán)重的后果?；跐h明碼
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臺(tái)積電承認(rèn)40納米工藝遭遇障礙
在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí)，臺(tái)積電也第一次公開承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2%左
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采用65納米工藝的SRAM（賽普拉斯）
賽普拉斯日前宣布在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴
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業(yè)界最完整的異步SRAM系列（賽普拉斯）
日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRA
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經(jīng)I/O優(yōu)化的FPGA
隨著電池供電和功率敏感應(yīng)用的急劇增長(zhǎng)刺激了全球?qū)Φ凸陌雽?dǎo)體的需求，設(shè)計(jì)人員正逐漸發(fā)現(xiàn)需要采用低功耗可重編程解決方案來(lái)適應(yīng)不斷演進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)；加快上市速度，并提供下一代前沿硅解決方案所需的封裝和功耗性能。對(duì)于當(dāng)前采用可編程邏輯技術(shù)的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，確定哪一種是最佳器件主要取決于功耗、性能、邏輯和I/O數(shù)量等設(shè)計(jì)約束。
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基于SRAM的FPGA連線資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)
本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測(cè)試開關(guān)盒連線資源的時(shí)問(wèn)比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99％以上，大大降低了測(cè)試的時(shí)間，降低了測(cè)試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內(nèi)。
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