賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。

賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，能達(dá)到更大的密度并改善存取時(shí)間和性能。nvSRAM對(duì)于要求絕對(duì)數(shù)據(jù)非易失安全性的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是理想的選擇，如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動(dòng)化（如PLC，馬達(dá)控制、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和機(jī)器人）、單板計(jì)算機(jī)、POS終端、電子抄表、汽車(chē)、醫(yī)療和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

串行nvSRAM系列包括擁有多種配置和標(biāo)準(zhǔn)SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN 和 16-pin SOIC小尺寸封裝，工作頻率最高可達(dá)40MHz。其中一款產(chǎn)品還集成了RTC。

賽普拉斯的并行nvSRAM的存取時(shí)間可達(dá)20納秒，讀、寫(xiě)和取回次數(shù)是無(wú)限的，數(shù)據(jù)最長(zhǎng)可以保存20年。新的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM集成了一個(gè)RTC，從而能夠?yàn)橹匾獢?shù)據(jù)打上時(shí)間標(biāo)記以便備份，同時(shí)還提供了可編程報(bào)警功能和看門(mén)狗時(shí)鐘。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Jithender Majjiga說(shuō)：“我們新的串行系列產(chǎn)品擴(kuò)充了我們業(yè)界領(lǐng)先的nvSRAM產(chǎn)品系列，滿足了高可靠、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、少管腳封裝的要求。同樣，在nvSRAM中集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘也使得我們的產(chǎn)品能夠應(yīng)用于原先采用BBSRAM的市場(chǎng)。”

賽普拉斯的nvSRAM兼容ROHS，且可直接替代SRAM、電池供電的SRAM(BBSRAM)和EEPROM器件，無(wú)需電池即可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速非易失性存儲(chǔ)。斷電的時(shí)候，數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)從SRAM傳輸?shù)狡骷姆且资詥卧?。而?dāng)供電恢復(fù)時(shí)，數(shù)據(jù)則從非易失性存儲(chǔ)單元恢復(fù)到SRAM中。這兩種操作也可由軟件控制。nvSRAM減少了板級(jí)空間，降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

作為SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先者，賽普拉斯正在其下一代PSoC®混合信號(hào)陣列、可編程時(shí)鐘和其他產(chǎn)品中采用S8技術(shù)。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容，并具有多種優(yōu)勢(shì)，例如高可靠性、低功耗、抗輻射。此外，與其他基于磁或鐵電的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)相比，SONOS技術(shù)更可靠，更易于生產(chǎn)，更容易擴(kuò)大產(chǎn)能。

供貨情況
賽普拉斯的1-Mbit串行nvSRAM的配置為128k x 8，目前已投產(chǎn)。CY14B101Q1 和 CY14B101Q2器件采用8-pin DFN封裝。具有RTC的CY14B101P串行器件和CY14B101Q3采用16-pin SOIC封裝。

具有RTC的4-Mbit nvSRAM的配置分別為512k x 8 (CY14B104K) 和 256k x 16 (CY14B104M)，目前也已投產(chǎn)。具有RTC的8-Mbit nvSRAM的配置分別為1024k x 8 (CY14B108K) 和 512k x 16 (CY14B108M)，目前正在出樣，預(yù)計(jì)2010年初投產(chǎn)。4-Mbit 和 8-Mbit器件均采用44-pin 和 54-pin TSOP II封裝。