威剛：看好明年DRAM市場(chǎng)需求

NAND Flash方面，威剛認(rèn)為，在價(jià)格及新技術(shù)逐步成熟驅(qū)動(dòng)下，預(yù)期2019年SSD市場(chǎng)滲透率及使用容量都將大幅提升。

四季度NAND持續(xù)供過(guò)于求，降價(jià)幅度或加大！

市場(chǎng)觀察機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2018年第三季度全球NAND閃存產(chǎn)業(yè)價(jià)值170億美元，環(huán)比增長(zhǎng)4.4％，而閃存芯片價(jià)格平均降低了10-15％。隨著64/72層堆疊3D閃存的良率和

u-boot在s3c2410研發(fā)板上移植（NAND Flash Boot）過(guò)程

這篇文章對(duì)于我的U－Boot移植起了重要作用，闡述了U－Boot從NAND Flash啟動(dòng)需要做的修改，但是其做法并不是完全正確（只是個(gè)人意見(jiàn)）。在這里謝謝Bekars渦輪增壓??！ 這篇文章轉(zhuǎn)載自他的博客：http://blog.csdn.net/

勝創(chuàng)推出全新M.2 SSD：讀寫(xiě)速度達(dá)3.4GB/s，容量最高1TB

內(nèi)存品牌勝創(chuàng)（KINGMAX）近日推出了全新的M.2 SSD產(chǎn)品—;—;Zeus M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 SSD PX3480。PX3480與大多數(shù)M.2 NVMe 1.3

s3c2440 nand flash 拷貝實(shí)驗(yàn)

首先明確一下我們的編程步驟。（1）、加電在nand_flash加載boot.s中4K以?xún)?nèi)的程序。這4k將自動(dòng)拷貝到SRAM（片內(nèi)RAM）執(zhí)行。（2）、我們需要用這4k的程序?qū)崿F(xiàn)nand-flash中4K以后的程序的拷貝（當(dāng)然，拷貝到SDRAM基址為

NAND Flash與S3C2410的接口電路

　　引言　　當(dāng)前各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊設(shè)計(jì)是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR Flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫(xiě)入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系

ARM的兩種啟動(dòng)方式 （NAND FLASH. NOR FLASH）

為什么會(huì)有兩種啟動(dòng)方式？這就是有兩種FLASH 的不同特點(diǎn)決定的。NAND FLASH 容量大，存儲(chǔ)的單位比特?cái)?shù)據(jù)的成本要低很多，但是要按照特定的時(shí)序?qū)AND FLASH 進(jìn)行讀寫(xiě)，因此CPU 無(wú)法對(duì)NAND FLASH 的數(shù)據(jù)進(jìn)行直接尋址，

nand flash啟動(dòng)分析

2410支持從nand flash啟動(dòng)。通過(guò)將flash中最開(kāi)始的4k代碼拷貝到，2410片內(nèi)的一塊不用初始化的sram中運(yùn)行，該拷貝過(guò)程完全由硬件支持，無(wú)需軟件操作。　　Nand Flash控制器有一個(gè)特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand F

半導(dǎo)體 “黑天鵝”陰云籠罩行業(yè)復(fù)蘇

鑒于半導(dǎo)體行業(yè)顯然處于下行周期中(盡管有愚蠢的人否認(rèn)周期性的存在)，大多數(shù)投資者和行業(yè)參與者都想知道下行周期的時(shí)間和復(fù)蘇的形態(tài)，因?yàn)槲覀兿胫篮螘r(shí)再購(gòu)買(mǎi)股票是安全的。我們也想嘗試預(yù)測(cè)復(fù)蘇的爬升速度，以評(píng)估行業(yè)和股票的增長(zhǎng)。

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶(hù)需求。

NAND價(jià)格下探0.1美元 三星、美光等原廠積極擴(kuò)產(chǎn)

受惠于NAND Flash每GB價(jià)格下探0.1美元的甜蜜點(diǎn)，終端需求大爆發(fā)，三星、SK海力士、美光、東芝等均繼續(xù)積極擴(kuò)充N(xiāo)AND產(chǎn)線，此舉對(duì)以量取勝的封測(cè)大廠力成與華泰來(lái)說(shuō)，是一大佳音。近兩年，2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，處于克服良率的階段，產(chǎn)能自然減少，導(dǎo)致后段封測(cè)廠訂單不理想，但近期因3D NAND良率持續(xù)提升，市場(chǎng)供給量增加，雖導(dǎo)致NAND報(bào)價(jià)快速且長(zhǎng)時(shí)間的下滑，但也因?yàn)閳?bào)價(jià)跌到市場(chǎng)可大量接受的甜蜜點(diǎn)，致使需求量快速拉升。

全球首個(gè)4D NAND閃存量產(chǎn)，96層堆棧，速度提升30%

早在今年的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上，SK Hynix就宣告了業(yè)界首個(gè)基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類(lèi)型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積，讀取、寫(xiě)入速度分別提升30%、25%。

嵌入式平臺(tái)上NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)

宜鼎工業(yè)高級(jí)3D NAND SSD 全球量產(chǎn)正式啟動(dòng)

工控儲(chǔ)存領(lǐng)導(dǎo)廠商宜鼎國(guó)際，旗下工業(yè)級(jí)3D NAND SSD將正式于10月份開(kāi)啟全球量產(chǎn)，穩(wěn)步提高產(chǎn)能。宜鼎國(guó)際董事長(zhǎng)簡(jiǎn)川勝表示，為提供業(yè)界高等級(jí)工控品質(zhì)，宜鼎3D NAND TLC花費(fèi)超過(guò)兩年時(shí)間進(jìn)行前期導(dǎo)入測(cè)試以及工規(guī)等級(jí)的壓力震動(dòng)測(cè)試，目前已成功導(dǎo)入客戶(hù)端，并持續(xù)以高端規(guī)格支持工控產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

OK6410裸機(jī)簡(jiǎn)單的NAND FLASH驅(qū)動(dòng),讀取一頁(yè)

OK6410裸機(jī)簡(jiǎn)單的NAND?FLASH驅(qū)動(dòng),只寫(xiě)了個(gè)簡(jiǎn)單的函數(shù),讀取一頁(yè) /**********************************************************

漲價(jià)太猛泡沫破裂? NAND2019年或要再跌50%

房地產(chǎn)泡沫喊了好多年了也沒(méi)見(jiàn)多少破裂，半導(dǎo)體行業(yè)里卻遇上了!還記得去年存儲(chǔ)產(chǎn)品的瘋狂漲價(jià)嗎?現(xiàn)在開(kāi)始價(jià)格就像過(guò)山車(chē)開(kāi)始下坡了。2016年下半年開(kāi)始的新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始

英特爾14nm產(chǎn)能不足整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都倒霉，西數(shù)已成受害者之一 ...

導(dǎo)致西數(shù)業(yè)績(jī)大降的因素除了HDD、NAND市場(chǎng)自身原因之外，還有很重要的外因，那就是某廠商的處理器缺貨，西數(shù)沒(méi)有指明品牌，不過(guò)大家都知道這是在說(shuō)英特爾，早前也有分析稱(chēng)英特爾14nm產(chǎn)能不足將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)PC產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿接绊懀F(xiàn)在也應(yīng)驗(yàn)了。

英特爾美光合作徹底結(jié)束？美光15億美元收購(gòu)IMFT剩余股份

1978年10月18日，美光公司正式成立，現(xiàn)今差不多是美光成立四十周年，如今的美光已經(jīng)是全球第四大半導(dǎo)體公司。除了四十年紀(jì)念日，今天美光還宣布了一件事，那就是收購(gòu)與英特爾合資的IM Flash（簡(jiǎn)稱(chēng)I

據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，全球第二大NAND閃存制造商?hào)|芝內(nèi)存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開(kāi)招股)。

據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，全球第二大NAND閃存制造商?hào)|芝內(nèi)存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開(kāi)招股)。

美光推出QLC NAND顆粒NVMe PCIe SSD

Crucial P1 SSD可提供最高2000MBps讀取與1700MBps寫(xiě)入的表現(xiàn)，而在PCMark 8的混合模式測(cè)試可達(dá)到565MBps與5084分的表現(xiàn)，通過(guò)搭配SLC緩存構(gòu)成動(dòng)態(tài)寫(xiě)入加速，具備180萬(wàn)小時(shí)的MTTF與耐用性達(dá)200TB的寫(xiě)入量，平均功耗僅100mW。QLC閃存顆粒相比以往的MLC、TLC速度低、穩(wěn)定性更差，所以售價(jià)方面想必也會(huì)更低一些，比較適合系統(tǒng)內(nèi)沒(méi)有重要文件的用戶(hù)使用。