據(jù)外媒消息，三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級，9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，預(yù)計(jì)明年問世。三星宣稱，這一技術(shù)是過去 10 年來存儲器的最大進(jìn)展之一，本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤)上，計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。

多家外媒報(bào)導(dǎo)，三星研發(fā) 1Tb 的 V-NAND 芯片(即垂直堆疊的 3D NAND)，容量是當(dāng)前最大存儲器 512Gb(gigabit)的兩倍。三星將采用16層堆疊的方式生產(chǎn)出容量達(dá)2TB(terabyte)的閃存，大幅提升儲存容量。三星宣稱，該技術(shù)是過去 10 年來存儲器的最大進(jìn)展之一。

1Tb 相當(dāng)于 126GB，以一部2小時(shí)的HD電影通常1.5-2GB來看，能夠儲存 60 部兩小時(shí)的高畫質(zhì)電影。三星表示，許多產(chǎn)業(yè)發(fā)展人工智慧和物聯(lián)網(wǎng)，數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用程式大增，F(xiàn)lash 存儲器扮演關(guān)鍵角色，可以加快資料抽取速度，以供即時(shí)分析。三星電子本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤)上，計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。

同時(shí)，三星發(fā)布 NGSFF 固態(tài)硬盤(Next Generation Small Form Factor SSD)，將取代當(dāng)前的 M.2 SSD 規(guī)格。三星表示 NGSFF 容量為前代的 4 倍，將于今年第四季量產(chǎn)。

三星 2016 年發(fā)表 Z-SSD 技術(shù)，現(xiàn)在首度發(fā)表采用此一技術(shù)的 SZ985 固態(tài)硬碟，宣稱可用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)系統(tǒng)，處理大數(shù)據(jù)分析等數(shù)據(jù)密集作業(yè)。Z-SSD 讀取延遲時(shí)間為 15 微秒，大約是 NVME 固態(tài)硬碟的七分之一。

從 2013 年三星電子在全球率先實(shí)現(xiàn) V-NAND (第一代，24層)量產(chǎn)，到今年實(shí)現(xiàn)第四代 V-NAND 的量產(chǎn)引領(lǐng)創(chuàng)新，三星存儲器部門高層表示，未來三星電子將積極應(yīng)對人工智能(AI)、大數(shù)據(jù)等未來高新半導(dǎo)體的需求。