MOSFET
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Power Supply WebDesigner設計工具能提供一整套節(jié)省時間的LED驅動器設計工具
隨著政府強制禁用白熾燈的法令已經開始嚴格執(zhí)行，LED 照明市場持續(xù)增長，然而在尋求有效設計電源系統(tǒng)以實現 LED 小型化方面仍然存在不少挑戰(zhàn)。諸如雙向可控硅調光控制、應對全球良莠不齊的電源線路法
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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域
英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產品。
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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %
雙片器件結合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率，所需PCB空間比6 mm x 5 mm封裝減少65 %
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電橋和ZVS轉換器帶來卓越性能的ST 超結MOSFET，你了解嗎？
什么是電橋和ZVS轉換器帶來卓越性能的ST 超結MOSFET?它有什么作用?2019年1月22日 - 意法半導體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。
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小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器系列，你知道嗎？
什么是小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器系列?它有什么特點?2019年3月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布，推出兩款全新系列的小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器---TCR5BM系列和TCR8BM系列，用于移動設備、影像和音視頻產品的電源供電應用。TCR5BM系列包含40個型號，支持低至100mV的壓差和最大500mA的輸出電流;TCR8BM系列同樣包含40個型號，支持低至170mV的壓差和最大800mA的輸出電流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。
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半球形透鏡的藍色和純綠色超亮LED，你接觸過嗎？
什么是半球形透鏡的藍色和純綠色超亮LED?它有什么作用?2019年3月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列采用無色表面貼裝和半球形透鏡的藍色和純綠色超亮LED---VLD.1232..系列。
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集成了900V MOSFET的全系列開關電源IC，那你知道嗎？
什么是集成了900V MOSFET的全系列開關電源IC?它有什么作用?2019年5月7日訊– 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司(納斯達克股票代號POWI)今日發(fā)布一系列集成了900 V初級MOSFET的離線式開關電源IC。
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SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，你了解嗎？
什么是SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動?它有什么作用?碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關性能，能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設計中能夠獲得更快速的短路保護，這對門極驅動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構中支持各種不同的門極電壓。
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擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器，你知道嗎？
什么是意法半導體, 1050V MOSFET VIPer轉換器?它有什么作用?意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。
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業(yè)內首款適用于標準柵極驅動電路的器件60V MOSFET，你了解嗎？
什么是業(yè)內首款適用于標準柵極驅動電路的器件60V MOSFET?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
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瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅動器
強健的HIP221x驅動器具備高速和高壓特性，延續(xù)瑞薩MOSFET驅動器在工業(yè)和消費應用領域的25年輝煌
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提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET，你知道嗎？
你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。
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采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，你了解嗎？
你知道采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET嗎?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)推出新型-30 V p溝道TrenchFET?第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻達到業(yè)內最低的3.5 mW。
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新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
你知道新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET嗎?它有什么作用?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備的開關電源。
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機逆變器等的普及速度~
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尋根究底：PFC電路旁路二極管作用及MOSFET常見失效模式
劉松 劉瞻 盧森茂 艾結華 ? 中大功率的ACDC電源都會采用有源功率因數校正PFC電路來提高其功率因數，減少對電網的干擾。在PFC電路中，常用的結構是BOOST電路，在實際的使用中，通常會加一個旁路二級管D2，如圖1所示。旁路二級管D2的作用，不同的資料，不同的工
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好在哪？用在哪？為您解讀我司全新SiC MOSFET方案！
點擊上方藍字關注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉載！安森美半導體是領先的寬禁帶半導體制造商，是該技術的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon的SiCMOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiCMOSFET...
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提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器，你了解嗎？
什么是提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器?它有什么作用?意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內，能夠維持高達4A的連續(xù)電流，并且插入損耗低，將動作快速的過載保護的優(yōu)勢延續(xù)到額定功率更高的應用產品。
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新型超結MOSFET器件，你聽說過嗎？
什么是新型超結MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產成本。
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LinkSwitch-XT2開關電源IC，你了解嗎？
什么是LinkSwitch-XT2開關電源IC?你知道嗎?PI最近推出集成900V初級MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2離線式開關電源IC。
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