2019年5月14日,德國慕尼黑/施蘭貝格訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù):
什么是高效超結(jié)MOSFET?它有什么作用?2018年12月14日 - 意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計。
由于電動馬達(dá)佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費大量心神,來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時,柵極電荷下降60 %。
什么是60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率,導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達(dá)到同類產(chǎn)品最低水平。
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計,可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性,且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q
你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導(dǎo)體工藝不斷精進(jìn),半導(dǎo)體的材料也隨之改朝換代,碳化硅在眾多半導(dǎo)體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能,同時碳化硅更是寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,其最大特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商,是該技術(shù)的先鋒,并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù),全面的高能效電源方案,包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動器及集成模塊。
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一,不過MOS管我們天天見,但是不乏一些剛?cè)胄械墓こ處?、甚至是少?shù)行業(yè)老手對于MOS的基礎(chǔ)理論的掌握不是很牢固,所以專門寫一篇文章為大家總結(jié)一下MOS的開關(guān)原理和基礎(chǔ)知識。
一文看明白眾說紛紜的SiC(文末報名在線研討會) ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限,現(xiàn)在需要轉(zhuǎn)移到新的元素。氮化鎵或氮化鎵是一種高流動性的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體(HEMT),在滿足新的應(yīng)用方面被證明是一種真正的附加價值。
點擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體: 不斷推進(jìn)與車企的各種合作項目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 (SiC) MOSFET 和車用SiC二極管,包括:650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET (現(xiàn)提供樣品,今...
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。 極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù),MOS管在使用過程當(dāng)中,任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù),否則MOS管有可能損壞。 VDS表示漏極與源極
那么究竟什么是云計算呢?云計算是指負(fù)責(zé)在全球范圍內(nèi)存儲和移動數(shù)據(jù)的許多遠(yuǎn)程服務(wù)器所構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò),我們可以通過 Wi-Fi?、LAN 或蜂窩網(wǎng)絡(luò)來進(jìn)行訪問。這些遠(yuǎn)程服務(wù)器的作用類似于大型存儲設(shè)備,包
中國上海,2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計劃于今日開始出貨。
【ROHM在線研討會】 將于5月28日重磅開啟! ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進(jìn) ? 產(chǎn)業(yè)方面 國際企業(yè)紛紛加強(qiáng)
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用,特別是近幾年來,隨著社會電子產(chǎn)業(yè)化及萬物互聯(lián)的應(yīng)用需求,更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程;也對電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn),如:高效率、高頻化、高密
中國,2020年5月11日——意法半導(dǎo)體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋柵極驅(qū)動器,以及電路保護(hù)和診斷功能,可提升方案安全性,簡化設(shè)計,節(jié)省空間。
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用