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本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀
經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開(kāi)始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,
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IGBT在客車(chē)DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT綜述 1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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IGBT在客車(chē)DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT綜述 1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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IGBT在客車(chē)DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT綜述 1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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提高電機(jī)設(shè)計(jì)能效的新方法
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn)，電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問(wèn)題。由于各國(guó)政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來(lái)要求提高能效，為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來(lái)越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢(shì)，
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提高電機(jī)設(shè)計(jì)能效的新方法
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn)，電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問(wèn)題。由于各國(guó)政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來(lái)要求提高能效，為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來(lái)越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢(shì)，
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提高電機(jī)設(shè)計(jì)能效的新方法
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn)，電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問(wèn)題。由于各國(guó)政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來(lái)要求提高能效，為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來(lái)越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢(shì)，
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類(lèi)型。這正是以低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率而著稱(chēng)的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類(lèi)型。這正是以低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率而著稱(chēng)的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
摘要：本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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2SD315A在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT中的應(yīng)用
討論了IGBT的驅(qū)動(dòng)要求，并從結(jié)構(gòu)特點(diǎn)到使用注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例等方面介紹了用于大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的2SD315A模塊。
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