隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn),電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問題。由于各國政府相繼出臺各種法規(guī)來要求提高能效,為了應(yīng)對能效挑戰(zhàn),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢,
在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
摘要:本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū),解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù),從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞:IGB
討論了IGBT的驅(qū)動(dòng)要求,并從結(jié)構(gòu)特點(diǎn)到使用注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例等方面介紹了用于大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的2SD315A模塊。
討論了IGBT的驅(qū)動(dòng)要求,并從結(jié)構(gòu)特點(diǎn)到使用注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例等方面介紹了用于大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的2SD315A模塊。
討論了IGBT的驅(qū)動(dòng)要求,并從結(jié)構(gòu)特點(diǎn)到使用注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例等方面介紹了用于大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的2SD315A模塊。
英飛凌科技日前於德國紐倫堡舉辦的 2009年P(guān)CIM展覽暨研討會(huì)((PCIM 2009 Exhibition and Congress)中推出全新Smart系列絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組。Smart模組的外型設(shè)計(jì)可部署自動(dòng)PressFIT技術(shù),只需使用一顆螺絲
“中國PMI指數(shù)連續(xù)六個(gè)月回升,意味著中國經(jīng)濟(jì)很可能已企穩(wěn)回暖”,中國統(tǒng)計(jì)局長馬建堂近期如是表示。對于已經(jīng)走完2009年上半年的中國經(jīng)濟(jì),官員和學(xué)者都紛紛強(qiáng)調(diào)已經(jīng)出現(xiàn)回暖的跡象,中國政府推出的一攬子調(diào)控措施成
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
近年來,我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視,國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
近年來,我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視,國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
在分析中國電源管理半導(dǎo)體市場之前,讓我們先看看全球的情況。iSuppli認(rèn)為,2009年前景比較光明,預(yù)計(jì)電源管理市場比2008年增長6%,高于2008年的增長率。開關(guān)穩(wěn)壓器和低電壓功率MOSFET將在未來五年內(nèi)快速增長,但iSu
高頻變換器采用全橋型結(jié)構(gòu),4個(gè)臂上的IGBT分別由4個(gè)相互隔離的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),它們的工作電源為300V,在驅(qū)動(dòng)脈沖作用下,兩個(gè)對角上的高頻開關(guān)管輪流同時(shí)導(dǎo)通,或同時(shí)截止,從而在主變壓器的初、次級獲得高頻脈沖電壓