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單象限降壓型電路
單象限降壓型電路T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當(dāng) 時(shí),T導(dǎo)通 D:續(xù)流二極管 L0和C0組成LPF 二.工作原理 當(dāng) 時(shí),控制信號(hào)使得T導(dǎo)通,D截止,向L0充磁,向C0充電 當(dāng)
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基于提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率的解決方案
I. 引言/摘要 由于對可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器) 的市場正在不斷增長。而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。本文對這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察，并推薦了針對開關(guān)和整流器件的最佳
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從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、 引言半
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IGBT及其子器件的幾種失效模式
摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器
隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器
隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。
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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的
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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
英飛凌科技股份公司宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的
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四象限變頻器技術(shù)介紹
1、 引言在上個(gè)世紀(jì)80年代末，交流變頻調(diào)速逐漸登上了工業(yè)傳動(dòng)調(diào)速方式的歷史舞臺(tái)。變頻調(diào)速在調(diào)速范圍、調(diào)速精度、控制靈活、工作效率、使用方便等方面都有很大的優(yōu)點(diǎn)，這使變頻調(diào)速成為最有發(fā)展前途的一種交流調(diào)速
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四象限變頻器技術(shù)介紹
1、 引言在上個(gè)世紀(jì)80年代末，交流變頻調(diào)速逐漸登上了工業(yè)傳動(dòng)調(diào)速方式的歷史舞臺(tái)。變頻調(diào)速在調(diào)速范圍、調(diào)速精度、控制靈活、工作效率、使用方便等方面都有很大的優(yōu)點(diǎn)，這使變頻調(diào)速成為最有發(fā)展前途的一種交流調(diào)速
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四象限變頻器技術(shù)介紹
1、 引言在上個(gè)世紀(jì)80年代末，交流變頻調(diào)速逐漸登上了工業(yè)傳動(dòng)調(diào)速方式的歷史舞臺(tái)。變頻調(diào)速在調(diào)速范圍、調(diào)速精度、控制靈活、工作效率、使用方便等方面都有很大的優(yōu)點(diǎn)，這使變頻調(diào)速成為最有發(fā)展前途的一種交流調(diào)速
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測量方法
IGBT以其輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導(dǎo)通延遲時(shí)間，目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測量系統(tǒng)，所測時(shí)間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測量方法
IGBT以其輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導(dǎo)通延遲時(shí)間，目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測量系統(tǒng)，所測時(shí)間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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功率器件缺貨嚴(yán)重，廠商需積極應(yīng)對
經(jīng)歷了一段時(shí)間的市場低迷之后，功率器件市場率先開始復(fù)蘇，市場重現(xiàn)久違的火爆景象。就眼下飛兆的IGBT市場來看，大功率IGBT嚴(yán)重缺貨，例如該公司的SGL160N60UFDTU已經(jīng)由當(dāng)初26元人民幣的價(jià)格，推高至30多元人民幣，
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電子制造業(yè)增速落榜尾 回暖受困單一發(fā)展思維
工信部近日透露，1-7月電子制造業(yè)工業(yè)增加值增長0.8%，落后于所有工業(yè)行業(yè)。由于全球經(jīng)濟(jì)增長速度放緩，市場總體需求萎縮，電子制造業(yè)受到嚴(yán)重沖擊。雖然目前電子制造行業(yè)出現(xiàn)一些回暖跡象，但是經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響尚未消
