人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如氮化鎵 (GaN) 功率級。

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。

AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)是開關功率晶體管的有希望的候選者，因為它們具有高的斷態(tài)擊穿強度以及導通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質結構材料AlGaN的組合。

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節(jié)點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動器支持100 V/ns開關，實現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴，其微調柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確保可靠切換。此功率級集成了一系列獨特的功能，比如圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 結構等密集高效拓撲，讓設計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。

此外，由于GaN / AlGaN HEMT的電子傳輸特性，與具有相同額定電壓的Si功率器件相比，特定的導通電阻幾乎低兩個數(shù)量級。因此，GaN器件同時實現(xiàn)高擊穿電壓和高電流水平，并具有小的半導體區(qū)域。這另外轉化為高功率水平下的高開關頻率。

LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能，不需要外部保護元件，即可提供過熱保護、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護。此外，LMG341xR050還可提供響應時間低于100 ns的過流保護和高于150 V/ns的壓擺率抗擾性。

本文只能帶領大家對氮化鎵 (GaN) 功率級有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時需要不斷總結，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。