在半導體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會增加成本。此外，不良的材料界面會導致更高的器件通道電阻，從而導致更多的能量在運行過程中被浪費，從而降低芯片的能效。

“我們已經(jīng)安裝并運行了一個 MOCVD 反應器，用于在硅晶片上生長 GaN 材料，”Salter 說?！拔覀冋谕顿Y這種設備和基礎設施，這需要額外的設備和專業(yè)的工藝設施，如氣體和冷卻水。生長具有低缺陷密度的 GaN 材料是氮化鎵面臨的最大挑戰(zhàn)之一應用，以及在沉積過程中控制材料質(zhì)量。在沉積過程中控制基礎材料和摻雜劑濃度允許在器件級實現(xiàn)低電阻器件接觸。這也會影響器件可以承受的擊穿電壓類型和電流水平。此外，在半導體材料和器件觸點之間具有良好的界面有助于優(yōu)化制造器件的電氣性能?！?

RISE 測試和演示設施 ProNano 提供各種基礎設施來幫助加快啟動測試，而無需在昂貴的設備上花費大量資金。納米線是使用 ProNano 的金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD) 技術制造的，可在硅晶片上產(chǎn)生薄的氮化鎵層。晶圓在各個層面都經(jīng)過處理和確認，以產(chǎn)生氮化鎵納米線可以“生長”的圖案，然后結(jié)合在一起形成高質(zhì)量的薄外延層。然后在電子顯微鏡下檢查晶片以檢查其質(zhì)量。

Hexagem 表示，目前 GaN-on-silicon 半導體每平方厘米有 1 億個缺陷?！斑@將是 10 8 cm -2數(shù)量級的位錯密度。當今最先進的 GaN-on-Si 晶圓為中高 10 8 cm -2，”Bj?rk 說。Hexagem 相信我們可以顯著提高材料質(zhì)量，很快就會接近每平方厘米 1000 萬個缺陷，從而超越競爭對手。

“缺陷通常是導致非狀態(tài)泄漏的位錯，”Bj?rk 補充道?！敖柚?Hexagem 技術，我們能夠分兩步減少位錯;首先，通過生長 GaN 納米線來過濾 GaN 緩沖位錯，其次，通過將線仔細合并成平面 GaN 層來控制新位錯的形成?！?

垂直晶圓

目標是擁有更大的晶圓或生產(chǎn)更厚的垂直氮化鎵半導體。根據(jù) Hexagem 的說法，如今兩到四微米厚的層很常見。他們的目標是在 2022 年生產(chǎn)出 10 微米厚的解決方案。

“更大的晶圓意味著通過增加每個晶圓的設備數(shù)量來提高規(guī)模經(jīng)濟，”Bj?rk 說?！叭秉c是在較大晶圓上控制晶圓彎曲通常更困難。較厚的 GaN 層將使器件具有更高的額定電壓，這對于解決 900-1200V 器件市場非常重要。它還將支持垂直設備設計，這將帶來一些好處，例如將電壓縮放與設備占用空間解耦。Hexagem 旨在為 1200V 器件設計開發(fā)高質(zhì)量的硅基 GaN，并將該技術授權給工業(yè)合作伙伴?！?

Hexagem 表示，其技術允許電流在晶圓平面上垂直流動，而不是水平流動。這減小了組件的尺寸，但更重要的是，它可以處理更高的電流和電壓。

半導體加工

如上所述，MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)是由具有大帶隙的半導體材料制造晶體管的主要程序。特定氣體(或蒸汽)在特定溫度和壓力下在 MOCVD 系統(tǒng)中流過基板表面。頂層以這種方式“發(fā)展”成晶體結(jié)構，一次一個原子層，跨越多個層。該技術被稱為外延或晶體生長。為了創(chuàng)建 3D 納米結(jié)構(例如納米線)，可以在襯底的整個表面或襯底的選定部分上生長層。

可以使用 MOCVD 工藝在不同材料的襯底上生長外延層，例如硅、碳化硅、氮化鎵、金剛石或藍寶石。材料具有不同程度的難于獲得很少的晶體缺陷。

接下來，通過半導體制造常見的附加處理步驟(例如光刻、蝕刻或金屬或絕緣體沉積)來創(chuàng)建晶片晶體管和其他電子元件。最后，將完成的晶圓切割成郵票大小的小塊，封裝在電子封裝中，進行測試，然后沿著供應鏈發(fā)送給三星、沃爾沃、蘋果和愛立信，最后進入微處理器在手機或汽車中。

在硅上制造 GaN 晶圓的主要階段是襯底清洗，然后是在清潔環(huán)境中進行圖案生長，以及在圖案生長過程中進一步清潔襯底。下一步是通過 MOCVD 外延制造 GaN 半導體。根據(jù)特定的技術需要，將基板放入 MOCVD 室中，以生成不同組合的 GaN、AlGaN 或 InGaN 的晶體層。之后，使用電子顯微鏡檢查材料，并進行測試以驗證材料的導電性和其他性能。