-
inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在
-
聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在
-
拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年
-
inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在
-
拚FinFET 聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。 盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快
-
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)
-
探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈
根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來(lái)研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)
-
探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈
根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來(lái)研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)
-
拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電 ( TSMC )之后的聯(lián)電 ( UMC )，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。 盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最
-
ARM與臺(tái)積電合作，針對(duì)FinFET技術(shù)最佳化ARM核心
ARM與臺(tái)積電(TSMC)合作，針對(duì)FinFET制程技術(shù)最佳化下一代64位元ARM核心。這想必讓英特爾感覺(jué)頗為自得。畢竟，這驗(yàn)證了這家晶片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor da
-
ARM與臺(tái)積公司攜手合作
ARM與臺(tái)積公司日前共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過(guò)臺(tái)積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此項(xiàng)合作將為ARMv8架構(gòu)
-
ARM與臺(tái)積電合作優(yōu)化下一代64位ARM處理器FinFET工藝
ARM與臺(tái)積公司今日共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過(guò)臺(tái)積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此項(xiàng)合作將為ARMv8架構(gòu)
-
ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議 引入臺(tái)積電FinFET工藝
知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時(shí)間看，延伸到了臺(tái)積電計(jì)劃中的20nm
-
ARM與臺(tái)積電將雙方合作延續(xù)至20奈米以下制程
處理器核心供應(yīng)商ARM與晶圓代工大廠臺(tái)積電 (TSMC)，日前共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20奈米以下制程，藉由臺(tái)積電的FinFET制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓晶片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市
-
ARM與臺(tái)積電簽署新協(xié)議引入臺(tái)積電FinFET工藝
知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時(shí)間看，延伸到了臺(tái)積電計(jì)劃中的20nm
-
臺(tái)積電和ARM合作范圍擴(kuò)展至20納米制程以下
昨日，半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電和ARM達(dá)成一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議，雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。ARM官方表示，雙方技術(shù)合作的目的，是讓ARM芯片可運(yùn)用于FinFET （鰭式場(chǎng)效晶體管）上，讓芯片設(shè)計(jì)商能繼續(xù)拓展其在
-
ARM攜手臺(tái)積公司 為下一代64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化
ARM與臺(tái)積公司今日共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過(guò)臺(tái)積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此項(xiàng)合作將為ARMv8架構(gòu)
-
ARM與臺(tái)積電攜手合作 對(duì)64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化
2012年7月23日，ARM與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過(guò)臺(tái)積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此項(xiàng)合作將為
-
ARM與臺(tái)積電攜手合作 對(duì)64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化
2012年7月23日，ARM與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過(guò)臺(tái)積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此項(xiàng)合作將為
-
臺(tái)積電、安謀 20nm以下再續(xù)前緣
臺(tái)積電與英商安謀（ARM）昨（23）日共同宣布一項(xiàng)為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米制程以下，藉由臺(tái)積電16納米3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來(lái)襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見(jiàn)證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來(lái)襲，填寫有獎(jiǎng)問(wèn)卷
- STM32C0系列MCU新品來(lái)襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
