該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點上開發(fā)系統級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。“這款芯片代表了高級節(jié)點工藝
半導體產業(yè)正在轉換到3D結構,進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟,但就閘極堆疊的觀點而言,過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
雖然開發(fā)先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高,但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布,配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測試晶片已投入試產
雖然開發(fā)先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高,但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布,配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測試晶片已投入試產
根據DIGITIMES Research分析師研究,臺灣半導體制造公司(TSMC)有望提前投產20nm制程,同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。研究報告指出,臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明,臺積電半導體工藝取得了
根據DIGITIMES Research分析師研究,臺灣半導體制造公司(TSMC)有望提前投產20nm制程,同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報告指出,臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明,臺積電半導
根據DIGITIMES Research分析師研究,臺灣半導體制造公司(TSMC)有望提前投產20nm制程,同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報告指出,臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明,臺積電半導體工藝取得
EDA供應商Cadence Design Systems日前宣布,已運用IBM的14nm 絕緣層上覆矽 ( SOI ) FinFET制程開發(fā)一款基于ARM處理器的測試晶片。該晶片采用ARM Cortex-M0核心,這也是ARM, Cadence和IBM共同開發(fā)14nm及以下節(jié)點SoC之
EDA 供應商 Cadence Design Systems 日前宣布,已運用 IBM 的 14nm 絕緣層上覆矽(SOI) FinFET 制程開發(fā)一款基于 ARM 處理器的測試晶片。該晶片采用 ARM Cortex-M0 核心,這也是 ARM, Cadence 和 IBM 共同開發(fā) 14nm 及
【賽迪網訊】在半導體代工行業(yè)當中,除了聲名顯赫的臺積電和GlobalFoundries兩家以外,聯電的名字可能有些人還不太熟悉,其實它同樣是代工行業(yè)不可忽視的力量。近日該公司就宣布,將會積極開發(fā)14nm工藝,和GlobalFou
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子
聯電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術,預計效能可較現今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與
聯電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示,40納米制程于今年底到達15%營收的內部目標可望提前完成。先進制程的28納米進度符合預期。此外,第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認列日本子公司損失對損益的影響。 聯電公司指出,40納米
臺積電16奈米鰭式電晶體(FinFET)制程量產時程可望提前。臺積電預估2013年6月即可提供IC設計客戶,16奈米晶圓光罩共乘服務(Cyber??shuttle),并將于明年底開始試產,后年初正式量產,借此鞏固全球晶圓代工市場龍頭地位
臺積電在上周二的年會上公布了該公司的路線圖,其中提到他們將會在明年年底開始嘗試用 ARM 的第一個 64-bit 處理器(ARMv8 指令集)來作為 16nm FinFET 制程的驗證。 按照這份路線圖,臺積電計劃在 2013 年 11 月開始
【摘要】臺積電在10月16日的年度大會中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程,并可望在未來一年內推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們