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Cadence采用FinFET技術流片14納米芯片
該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點上開發(fā)系統級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。“這款芯片代表了高級節(jié)點工藝
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
半導體產業(yè)正在轉換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
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運用FinFET技術14奈米設計開跑
雖然開發(fā)先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高，但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測試晶片已投入試產
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運用FinFET技術 14nm設計開跑
雖然開發(fā)先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高，但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測試晶片已投入試產
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臺積電16nm工藝提早到來
根據DIGITIMES Research分析師研究，臺灣半導體制造公司（TSMC）有望提前投產20nm制程，同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。研究報告指出，臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明，臺積電半導體工藝取得了
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臺積電16nm工藝提早到來 等待非常值得
根據DIGITIMES Research分析師研究，臺灣半導體制造公司（TSMC）有望提前投產20nm制程，同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報告指出，臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明，臺積電半導
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臺積電16nm工藝提早到來
根據DIGITIMES Research分析師研究，臺灣半導體制造公司（TSMC）有望提前投產20nm制程，同時也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報告指出，臺積電在最近一個投資者會議上透露的信息清楚地表明，臺積電半導體工藝取得
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Cadence、IBM推動SOI FinFET邁向14nm
EDA供應商Cadence Design Systems日前宣布，已運用IBM的14nm 絕緣層上覆矽 ( SOI ) FinFET制程開發(fā)一款基于ARM處理器的測試晶片。該晶片采用ARM Cortex-M0核心，這也是ARM, Cadence和IBM共同開發(fā)14nm及以下節(jié)點SoC之
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Cadence、IBM推動SOI FinFET邁向14nm
EDA 供應商 Cadence Design Systems 日前宣布，已運用 IBM 的 14nm 絕緣層上覆矽(SOI) FinFET 制程開發(fā)一款基于 ARM 處理器的測試晶片。該晶片采用 ARM Cortex-M0 核心，這也是 ARM, Cadence 和 IBM 共同開發(fā) 14nm 及
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或有興起勢頭 聯電14nm＋20nm混合工藝曝光
【賽迪網訊】在半導體代工行業(yè)當中，除了聲名顯赫的臺積電和GlobalFoundries兩家以外，聯電的名字可能有些人還不太熟悉，其實它同樣是代工行業(yè)不可忽視的力量。近日該公司就宣布，將會積極開發(fā)14nm工藝，和GlobalFou
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導入FinFET制程技術 聯電14奈米后年亮相
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子
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導入FinFET制程技術 聯電14奈米后年亮相
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子
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聯電研發(fā)14nmFinFET技術 較28nm效能提升35～40%
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子
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聯電14nmFinFET制程技術后年試產
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子
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導入FinFET制程技術 聯電14奈米后年亮相
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子
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導入FinFET制程技術 聯電14奈米后年亮相
聯電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術，預計效能可較現今28奈米制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與
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聯電40納米年底占比15%，Q4續(xù)處分業(yè)外轉投資
聯電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示，40納米制程于今年底到達15%營收的內部目標可望提前完成。先進制程的28納米進度符合預期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認列日本子公司損失對損益的影響。 聯電公司指出，40納米
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研發(fā)進度超前臺積電16nm明年底試產
臺積電16奈米鰭式電晶體(FinFET)制程量產時程可望提前。臺積電預估2013年6月即可提供IC設計客戶，16奈米晶圓光罩共乘服務(Cyber??shuttle)，并將于明年底開始試產，后年初正式量產，借此鞏固全球晶圓代工市場龍頭地位
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臺積電擬2013年用ARMv8作為16nm FinFET制程的驗證
臺積電在上周二的年會上公布了該公司的路線圖，其中提到他們將會在明年年底開始嘗試用 ARM 的第一個 64-bit 處理器(ARMv8 指令集)來作為 16nm FinFET 制程的驗證。 按照這份路線圖，臺積電計劃在 2013 年 11 月開始
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET
【摘要】臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們
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