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何種晶體管技術(shù)將領(lǐng)跑22nm時(shí)代？
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
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22nm之后:下一代電晶體競(jìng)賽開跑
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的電晶體。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到電晶體的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先恐后地推出各種新的電晶體技術(shù)。英特
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22nm亂世之最后懸念:多角度看Finfet等四種技術(shù)優(yōu)劣對(duì)比
在向22/20nm節(jié)點(diǎn)制程攀登的過(guò)程中，半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)者們似乎紛紛準(zhǔn)備在這一節(jié)點(diǎn)推出新形態(tài)的晶體管結(jié)構(gòu)技術(shù)。這方面做得比較出彩的有Intel，他們不久前正式公布將在22nm制程節(jié)點(diǎn)啟用三 柵晶體管技術(shù)，并因此而博得了許
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臺(tái)積電先推TSV 3D芯片可擊敗英特爾FinFET？
根據(jù)臺(tái)灣對(duì)外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(huì)(TAITRA)日前所發(fā)布的一份報(bào)告，芯片代工巨擘臺(tái)積電(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互連的半導(dǎo)體產(chǎn)品，因而可能和已經(jīng)宣布即將推出首款3D芯片的英特爾形成潛在的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。 TAIT
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臺(tái)積電稱Finfet尚未成熟 芯片設(shè)計(jì)制造需改動(dòng)
自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)（至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)）仍將采用傳統(tǒng)
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臺(tái)積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟
自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)（至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)）仍將采用傳統(tǒng)
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臺(tái)積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟
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3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？
前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是把原本二維的平面柵級(jí)用一塊非常薄的三維矽鰭片來(lái)取代，并且在立體的三個(gè)面上都放置了一個(gè)
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3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國(guó)稱比英特爾較早申請(qǐng)
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用收
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3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國(guó)稱比英特爾較早申請(qǐng)
新聞來(lái)源:Digitimes 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲
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韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用
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韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用收
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韓國(guó)稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請(qǐng)
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)早已開發(fā)完成。韓國(guó)向美國(guó)提出技術(shù)專利申請(qǐng)時(shí)間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國(guó)將可獲得龐大的專利權(quán)使用
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臺(tái)積電重點(diǎn)開發(fā)28納米工藝
臺(tái)灣晶圓代工巨頭臺(tái)積電的一名高管表示，目前臺(tái)積電對(duì)28納米(nm)工藝的IC設(shè)計(jì)極為重視，投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多?！爸悄苁謾C(jī)與平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced
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臺(tái)積電重點(diǎn)開發(fā)28納米工藝
臺(tái)灣晶圓代工巨頭臺(tái)積電的一名高管表示，目前臺(tái)積電對(duì)28納米(nm)工藝的IC設(shè)計(jì)極為重視，投入是之前40納米工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量的三倍多?！爸悄苁謾C(jī)與平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced
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IC設(shè)計(jì)公司熱衷28nm工藝
臺(tái)灣代工巨頭臺(tái)積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計(jì)廠商對(duì)28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。 “智能手機(jī)和平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁MariaMarced說(shuō)，“我們預(yù)見到
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IC設(shè)計(jì)公司熱衷28nm工藝
臺(tái)灣代工巨頭臺(tái)積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計(jì)廠商對(duì)28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。 “智能手機(jī)和平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced說(shuō)，“我們預(yù)
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破譯前沿技術(shù)，F(xiàn)infet技術(shù)（3D晶體管）詳解
本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)布會(huì)，會(huì)上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程處理器中全面啟用三柵晶體管技術(shù)（也稱3D晶體管技術(shù)），他并表示三柵晶體管技術(shù)的啟用可以極大地減小晶體管的工作電壓，其實(shí)三柵晶體管
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Intel 22nm制程三柵結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)探秘
繼四年前首度啟用HKMG工藝制作商用處理器之后，全球最大的半導(dǎo)體廠商Intel又一次站在了業(yè)界前列，這一次他們用實(shí)際行動(dòng)宣告與傳統(tǒng)的平面型晶體管 技術(shù)徹底告別。如先前外界所預(yù)料的那樣，本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)
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Intel 22nm處理器將會(huì)采用FinFET工藝
前不久網(wǎng)絡(luò)上有一些關(guān)于22nm Ivy Bridge處理器的一些信息，近日我們收到消息稱：Intel將在22nm處理器上采用FinFET工藝技術(shù)，以保證處理器的集成度更高、漏電也更小。 FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effectt
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