臺(tái)積電和ARM合作范圍擴(kuò)展至20納米制程以下
昨日,半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電和ARM達(dá)成一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議,雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。
ARM官方表示,雙方技術(shù)合作的目的,是讓ARM芯片可運(yùn)用于FinFET (鰭式場(chǎng)效晶體管)上,讓芯片設(shè)計(jì)商能繼續(xù)拓展其在應(yīng)用處理器上的優(yōu)勢(shì)。
ARM官方認(rèn)為,雙方的合作將能為ARMv8架構(gòu)下的新一世代4位ARM處理器、ARM ArtisanR實(shí)體IP、以及臺(tái)積電的FinFET制程技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化,以便應(yīng)用于要求高性能和節(jié)能兼?zhèn)涞囊苿?dòng)便攜市場(chǎng)以及企業(yè)市場(chǎng)。
據(jù)悉,借助這項(xiàng)技術(shù)合作方案,ARM將能以制程信息,設(shè)計(jì)效能、體積、功率的優(yōu)化完整方案,降低風(fēng)險(xiǎn)。而臺(tái)積電則能借助ARM的最新處理器和技術(shù),為FinFET制程技術(shù)制定基準(zhǔn)點(diǎn)并且優(yōu)化。
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