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[導讀]ARM與臺積電(TSMC)合作,針對FinFET制程技術(shù)最佳化下一代64位元ARM核心。這想必讓英特爾感覺頗為自得。畢竟,這驗證了這家晶片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor da

ARM臺積電(TSMC)合作,針對FinFET制程技術(shù)最佳化下一代64位元ARM核心。這想必讓英特爾感覺頗為自得。

畢竟,這驗證了這家晶片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor day)中所做的演說──英特爾領先最接近的代工競爭廠四年。

事實上,正如我的同事Peter Clarke在他的文章中所說的,臺灣的制造商和ARM之間的合作甚至無法預期2015下半年以前能夠量產(chǎn),因此,這個賭注也可能過于樂觀。

此外,這個新聞也透露出ARM的伺服器策略矛盾之處。

ARM曾多次表示,2014年將針對伺服器市場推出重量級產(chǎn)品,而且將在兩到三年內(nèi)達到一定程度的市占率。但這次發(fā)布的新聞,卻無異于對之前所做的聲明澆了一大盆冷水。

依照ARM最新發(fā)布的新聞,至少要三年半,其采用FinFET技術(shù)的64位元V8架構(gòu)才會就緒,而這將讓英特爾有更充裕的時間來發(fā)展技術(shù),再度將競爭對手遠遠拋在后頭。

這個新發(fā)布的新聞還表示,臺積電很可能會在之前曾表示將針對第二代20nm制程之后,重新制定FinFET元件(三閘極, tri-gate)策略。實際上,這份新聞稿讀起來就像這家制造商不得不調(diào)整其次 20nm 計劃,但臺積電是否能輕易地跨越仍有待觀察。

“毫無疑問,根據(jù)目前的記錄,英特爾在 FinFET 部署方面將領先所有其他的公司,” Insight64 分析師 Nathan Brookwood 表示。

“他們采用 3D 電晶體的元件出貨量已經(jīng)達到數(shù)百萬顆之多了,但臺積電和 GlobalFoundries 仍堅持在 14nm 節(jié)點前不會采用該技術(shù),因此就量產(chǎn)而言,英特爾至少領先了四年。我聽到一些消息,目前的情況是這兩家公司也打算加快該技術(shù)的發(fā)展。”

話雖如此,但Brookwood并不相信 ARM 會等待 FinFET 就緒,才開始將其64位元架構(gòu)導入到伺服器和客戶端設備中。這家英國的晶片設計業(yè)者已經(jīng)在去年發(fā)布了64位元的ARM V8架構(gòu),而 Applied Micro 也已經(jīng)向一些早期客戶推出基于FPGA的V8產(chǎn)品,預估今年稍晚還將推出 40nm ARMv8 SoC,2013年將再發(fā)布28nm版本。

“包括蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)、Marvell和Nvidia在內(nèi)的ARM架構(gòu)授權(quán)廠商們,如果在很短時間內(nèi)相繼轉(zhuǎn)移到采用28nm的64位元架構(gòu),我想我一點都不會感到驚訝,”Brookwood說。

他接著表示,在他看來, ARM 與臺積電此次發(fā)布的聲明,并不意味著64位元ARM晶片必須等待 FinFET 技術(shù),但它確實需要幾年的時間來開發(fā)實體IP,特別是臺積電和 GlobalFoundries 在發(fā)展 FinFET 時仍將面臨諸多設計約束。

對臺積電而言,將 FinFET 技術(shù)推進到 14nm 節(jié)點是一項驚人之舉。畢竟,晶圓廠要制造 FinFET 元件以前,首先要正確掌握high-k金屬閘極技術(shù),但臺積電目前仍在奮力與英特爾和 Globalfoundries 競爭。

“就如同英特爾在本月初 Semicon West 上的演講所說的,每一世代的新制程技術(shù),必然要以之前的技術(shù)為基礎,”Brookwood表示。

再確實不過了。現(xiàn)在,英特爾在FinFET發(fā)展競賽中領先所有競爭對手,也再度印證了這個說法。

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