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[導(dǎo)讀]SEMI研究報告最新研究報告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%,而未來兩年光刻

SEMI研究報告最新研究報告顯示,2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達到了30億元規(guī)模,預(yù)估2012年這一數(shù)字可達32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下,半導(dǎo)體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%,而未來兩年光刻掩膜板市場則預(yù)計將有7%和2%的成長。

驅(qū)動此一市場成長的關(guān)鍵主要來自于先進技術(shù)持續(xù)進行微縮(小于65納米),以及亞太地區(qū)制造業(yè)的蓬勃發(fā)展。以專有光刻掩膜板(captive photomask)廠商而言,在2006年其僅占光刻掩膜板市場30%的比例,但在2010年,該數(shù)字已成長至40%。傳統(tǒng)的光學光刻技術(shù)將持續(xù)推動下一代光刻技術(shù)方案的推陳出新,包括超紫外光(EUV)、無光刻掩膜板光刻、和納米壓印(nano-imprint)。而對于45納米制程節(jié)點而言,浸潤式光刻(immersion lithography)可說是其首選技術(shù)。另外針對sub 45納米制程節(jié)點,透過顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization,SMO)的應(yīng)用將可擴展單次曝光程序,而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。

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為了協(xié)助將光學光刻技術(shù)延伸至22納米節(jié)點尺寸,除了雙重曝光和SMO之外,設(shè)備制造商還打算利用運算光刻

(computational lithography)的技術(shù)。而一再延宕、遲遲不見芳蹤的EUV技術(shù),則至少要等到16納米節(jié)點后才有可能出現(xiàn),而且屆時此一革命性的新技術(shù)是否會被廣泛采用,還得取決于成本考慮,以及能否形成新的供應(yīng)鏈。然而,在一些關(guān)鍵領(lǐng)域中,譬如檢測設(shè)備、光源功率(source power)、光刻掩膜板和光刻膠(resist)等,EUV還是有所進展的。雖然EUV技術(shù)領(lǐng)域已逐步取得進展,但卻也有越來越多的論調(diào)認為應(yīng)該將EUV技術(shù)作為協(xié)助193納米浸潤式光刻進一步微縮的補助手段,以突破后者在物理特性上的局限。

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而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來說,經(jīng)濟方面的不確定性因素遠比技術(shù)問題更讓人頭痛,隨著 線寬必須不斷縮小的趨勢下,廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn),更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運而生,但卻僅有部份的客戶會轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品,而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深,因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點,既能進行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。

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SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》,對2010年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析,并以全球七個主要地區(qū),包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區(qū)進行市場分析,該報告還囊括每一地區(qū)從2005至2012年間的相關(guān)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。

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