iSuppli公布,三星二季度DRAM全球市場占有率升值41.6%,位居榜首,海力士第二。據(jù)韓聯(lián)社9月4日報(bào)道,市場研究公司iSuppli表示,今年第二季度三星電子動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM
因零件廠商紛紛將供應(yīng)重心轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、加上PC出貨量優(yōu)于廠商預(yù)估,導(dǎo)致PC用零件浮現(xiàn)缺貨情況,也帶動PC零件交易價(jià)格強(qiáng)勁,其中存儲器代表性產(chǎn)品DRAM價(jià)格今年來已上揚(yáng)了4%、液晶面板價(jià)格更大漲了11%。今年來PC用液晶
據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究,根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn),三星電子不但在DRAM市場占有最大份額,而且競爭力最強(qiáng)。這項(xiàng)新的分析考慮了四個因素:DRAM廠商的現(xiàn)金余額,銷售
21ic訊 領(lǐng)先市場的高速、高容量、無需電池的非易失性存儲解決方案供應(yīng)商,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
據(jù)HIS iSuppli的最新研究表明,憑借制勝的戰(zhàn)略,三星在2010年第四季度成功增加了早已掌控在手的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)市場份額。初步結(jié)果顯示,三星在2010年第四季度的D
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)預(yù)估,2014年第二季全球動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)平均銷售價(jià)格(ASP),將由第一季的3.06美元微幅下跌至3美元,是2012年第四季以來首度下滑。不
南韓第二大記憶體廠SK海力士(SK Hynix)首季超越勁敵美光,成為全球PC用動態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)第一大廠。市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示,SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%,重新奪
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,6月下旬合約價(jià)持平,4GB均價(jià)為30.5美元,換算顆粒價(jià)格約為3.5美元,與現(xiàn)貨價(jià)格(DDR3 4Gb 512M
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力,但就連市場上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過程得花上好一段時(shí)間。
近來DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長的智慧手機(jī)市場,令人擔(dān)心個人電腦(PC)未來的供應(yīng)。預(yù)料在8月之前蘋果最新iPhon
據(jù)日本媒體報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)公司(Elpida)25日宣布,將于2011年4月前在臺灣證券交易所上市。爾必達(dá)將發(fā)行臺灣存托憑證,籌資約100億日元(約合7.95億元人民幣)。據(jù)
1998年前后臺灣跨入面板產(chǎn)業(yè),投資熱潮方興未艾,許庭禎受奇美創(chuàng)辦人許文龍征詢,加入奇美電的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì),卻因體悟到面板廠投資壓力,成為最早退出的人。當(dāng)年許庭禎拿到電機(jī)博士學(xué)位,先后在摩托羅拉、應(yīng)材就職,當(dāng)他
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量
IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片,并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入使用。Menon稱IBM將
國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner 發(fā)布最新預(yù)測, 2014年全球半導(dǎo)體銷售業(yè)績將穩(wěn)步達(dá)到3,360億美元,較2013年成長6.7%,高于上一季所預(yù)測的5.4%。2014年第二季較諸前一季之成長幅度已超出預(yù)期,連同晶圓代工龍頭臺積電(TSM
磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時(shí)被提出來的。但是眾所周知,內(nèi)存讀寫的速度需要達(dá)到磁盤讀寫的速度的100萬倍,所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計(jì)看起來并不復(fù)雜,但是對材料的要求比較
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代DRAM與SRAM的潛力,但就連市場上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過程得花上好一段時(shí)間。一份來自資料儲存產(chǎn)業(yè)顧問機(jī)構(gòu)CoughlinAssociat
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)于2
日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達(dá)
DRAM拉貨潮啟動,加上芯片廠制程推進(jìn)受阻,主流DDR34Gb顆粒現(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價(jià),本季漲幅近二成,有機(jī)會向歷史新高4.6美元邁進(jìn),華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM