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硅品買力晶閑置廠房 效益或影響
半導(dǎo)體景氣大復(fù)蘇，晶圓代工、封測(cè)廠明年計(jì)劃大舉倍增資本支出進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，封測(cè)大廠硅品訂單幾近塞爆，產(chǎn)能不足，昨（11）日董事會(huì)通過，以近18億元向力晶買下竹科閑置廠房擴(kuò)充測(cè)試產(chǎn)能。硅品率先砸重金擴(kuò)產(chǎn)，為半導(dǎo)體
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臺(tái)灣“立法院”要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”力推「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案計(jì)畫」，在宣布臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)已獲審查通過后，“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)11日提出重要決議，要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫，等同禁止“經(jīng)濟(jì)部”協(xié)助TIMC獲得國(guó)發(fā)
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爾必達(dá)與茂德科技簽署DRAM芯片代工協(xié)議
日前，茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 茂德表示，代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)
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對(duì)DRAM價(jià)格樂觀 力晶停止紓困
力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下，將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力，力晶董事會(huì)2日通過，從明年開始停止紓困，全力正?；謴?fù)營(yíng)運(yùn)，可望從明年起針對(duì)銀行正常還款。力晶對(duì)第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期，今年第四季將有
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外資上周大砍晶圓雙雄
外資上周累計(jì)賣超179億元，主要調(diào)節(jié)標(biāo)的為臺(tái)積電9.55萬張、聯(lián)電9.46萬張。盡管美林證券首席亞太半導(dǎo)體分析師何浩銘認(rèn)為，明年半導(dǎo)體回春，但仍擋不住來自對(duì)沖基金的短線賣壓。 另外，外資也持續(xù)賣中鋼、長(zhǎng)榮航，主要
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7％
根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且
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TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺(tái)灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TM
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產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)的沖擊已經(jīng)一年過去。此次危機(jī)是歷史上最嚴(yán)重的一次，所以盡管各國(guó)政府都奮力相救，但是由于受損太嚴(yán)重，產(chǎn)業(yè)的完全康復(fù)仍需要過程與時(shí)間。至此，產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個(gè)季度的財(cái)報(bào)都已
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金士頓：DRAM價(jià)格2.5美元很健康 看好明年NAND Flash市場(chǎng)前景
遠(yuǎn)東金士頓(Kingston)董事長(zhǎng)蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對(duì)于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高，預(yù)計(jì)到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場(chǎng)受惠終端應(yīng)用多元化發(fā)展，包括手機(jī)應(yīng)用起飛
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臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)
受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元，累計(jì)前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價(jià)格上揚(yáng) 明年市場(chǎng)趨緊
韓國(guó)海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場(chǎng)將在第四季維持強(qiáng)勁，并指出合約價(jià)格可能在11月進(jìn)一步揚(yáng)升，12月時(shí)趨穩(wěn)。 海力士公司主管在投資人電話會(huì)議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長(zhǎng)有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短
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英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本。 英特爾研究員和內(nèi)存
