采用恒流源充放電技術(shù),以比較器為核心,利用一種新型真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機(jī)控制信號,設(shè)計(jì)一種基于0.5μm CMOS工藝的擴(kuò)展頻譜振蕩器,振蕩頻率在1~1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明,該方案能夠在1~1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機(jī)振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC/DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
臺積電在MEMS領(lǐng)域歷經(jīng)7年苦練后,與客戶關(guān)系由接受指導(dǎo),轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā),臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示,臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步,相信2010年臺積電MEMS將進(jìn)入收成期。劉信生在出席
美商亞德諾公司(Analog Devices)14日正式發(fā)表18款極具電源效率,解析度範(fàn)圍從10到16位元的類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(ADC)。ADI的全新ADC乃是以對於電力需求極為敏感的通訊、工業(yè)、可攜式電子裝置、以及儀器設(shè)備等為對象所設(shè)
東芝NEC與IBM合作 共同開發(fā)28納米CMOS芯片
世界領(lǐng)先的硅基CMOS光子集成廠商Luxtera今天宣布,經(jīng)過與飛思卡爾半導(dǎo)體公司多年的密切合作,利用后者的制造資源,實(shí)現(xiàn)了世界首個(gè)商用級硅基CMOS光子半導(dǎo)體制造工藝的投產(chǎn)。 CMOS光子 Luxtera 硅基CMOS 光子集成
摘 要:低中頻架構(gòu)由于其鏡像抑制能力強(qiáng),易于集成等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于接收機(jī)的設(shè)計(jì)中?;祛l器作為接收機(jī)的重要模塊之一,它的主要作用是完成頻率轉(zhuǎn)換,其性能對接收機(jī)有很大的影響。設(shè)計(jì)了一個(gè)工作于GSM 850頻帶的
近日,亞利桑那州大學(xué)柔性顯示器中心(Flexible Display Center)與德州大學(xué)達(dá)拉斯分校聯(lián)合宣布已成功在柔性塑膠基板(Flexible Plastic Substrate) 制作CMOS電路系統(tǒng).這項(xiàng)成功的開發(fā)將促進(jìn)柔性電子應(yīng)用。新的塑料CMOS
近日,意法半導(dǎo)體(ST)與世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec,宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議,兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光(BSI)技術(shù),制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。 當(dāng)今的
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球CMOS影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作,以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶
意法半導(dǎo)體(ST)與工程基板供應(yīng)商Soitec,宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議,兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光(BSI)技術(shù),制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。當(dāng)今的前沿影像傳感器技
近日,思源科技與聯(lián)華電子共同宣布,將提供已通過晶圓專工驗(yàn)證的LakerTM制程設(shè)計(jì)套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK,是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖端制程上的需求。雙
電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化領(lǐng)導(dǎo)廠商思源科技與聯(lián)華電子共同宣布,即日起將提供已通過晶圓專工驗(yàn)證的Laker制程設(shè)計(jì)套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK,是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖
設(shè)計(jì)了一款3.7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化,并對片上電感和射頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0.18 μm CMOS混合信號制造工藝,芯片面積為0.4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示,芯片的工作頻率為3.4~4 GHz,根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明,該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能,可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
比利時(shí)納電子研究中心IMEC日前宣布擴(kuò)建位于魯汶的研究基地,實(shí)驗(yàn)室面積將新增2800平方米,其中包括高端凈化間。擴(kuò)建后,IMEC將加強(qiáng)32nm以下節(jié)點(diǎn)CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時(shí)還
l 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓,被廣泛應(yīng)用于比較器,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器,信號處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMOS工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中,并且獲得了
特瑞仕半導(dǎo)體在日本東京開發(fā)了輸出電流高達(dá)1A、帶自動(dòng)節(jié)能功能的高速CMOS LDO電壓調(diào)整器--XC6220系列產(chǎn)品。XC6220系列是采用高精度、低噪聲、低壓差的CMOS工藝、輸出為1A的大電流式LDO電壓調(diào)整器。內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的
O 引言 CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器相比,具有功耗低、集成度高,便于采用高速的并行讀取體系等優(yōu)點(diǎn),因而在圖像傳感、天文觀測、星敏感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前圖像采集主要基于PCI總線或其他傳統(tǒng)接串并