CMOS
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亞利桑那州大學(xué)與德州大學(xué)成功開(kāi)發(fā)CMOS柔性晶體管
近日，亞利桑那州大學(xué)柔性顯示器中心(Flexible Display Center)與德州大學(xué)達(dá)拉斯分校聯(lián)合宣布已成功在柔性塑膠基板(Flexible Plastic Substrate) 制作CMOS電路系統(tǒng).這項(xiàng)成功的開(kāi)發(fā)將促進(jìn)柔性電子應(yīng)用。新的塑料CMOS
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ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)下一代CMOS影像傳感器技術(shù)
近日，意法半導(dǎo)體（ST）與世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光（BSI）技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。 當(dāng)今的
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意法半導(dǎo)體和Soitec聯(lián)手開(kāi)發(fā)新一代CMOS圖像感測(cè)器技術(shù)
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司和全球CMOS影像技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領(lǐng)先的工程基板供應(yīng)商Soitec今天公布了兩家公司之間一項(xiàng)獨(dú)家合作，以便於為消費(fèi)電子產(chǎn)品的新一代圖像感測(cè)器開(kāi)發(fā) 300mm 晶
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ST與Soitec合作開(kāi)發(fā)CMOS影像傳感器技術(shù)
意法半導(dǎo)體（ST）與工程基板供應(yīng)商Soitec，宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光（BSI）技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。當(dāng)今的前沿影像傳感器技
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思源科技與聯(lián)華電子提供65奈米PDK支持客制芯片設(shè)計(jì)
近日，思源科技與聯(lián)華電子共同宣布，將提供已通過(guò)晶圓專工驗(yàn)證的LakerTM制程設(shè)計(jì)套件（PDK）予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖端制程上的需求。雙
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思源科技與聯(lián)華電子合作推出65nm制程設(shè)計(jì)套件
電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化領(lǐng)導(dǎo)廠商思源科技與聯(lián)華電子共同宣布，即日起將提供已通過(guò)晶圓專工驗(yàn)證的Laker制程設(shè)計(jì)套件（PDK）予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項(xiàng)由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設(shè)計(jì)與尖
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3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開(kāi)關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對(duì)片上電感和射頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測(cè)試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測(cè)試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
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3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
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IMEC擴(kuò)建研究基地 新增實(shí)驗(yàn)室面積2800平方米
比利時(shí)納電子研究中心IMEC日前宣布擴(kuò)建位于魯汶的研究基地，實(shí)驗(yàn)室面積將新增2800平方米，其中包括高端凈化間。擴(kuò)建后，IMEC將加強(qiáng)32nm以下節(jié)點(diǎn)CMOS技術(shù)、低成本高效率太陽(yáng)能電池和生物電子等技術(shù)的研究。IMEC同時(shí)還
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低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
l 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓，被廣泛應(yīng)用于比較器，A／D，D／A轉(zhuǎn)換器，信號(hào)處理器等集成電路中。目前已有不少Bipolar工藝和CMOS工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中，并且獲得了
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高速CMOS LDO電壓調(diào)整器（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體在日本東京開(kāi)發(fā)了輸出電流高達(dá)1A、帶自動(dòng)節(jié)能功能的高速CMOS LDO電壓調(diào)整器--XC6220系列產(chǎn)品。XC6220系列是采用高精度、低噪聲、低壓差的CMOS工藝、輸出為1A的大電流式LDO電壓調(diào)整器。內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的
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基于USB2.O的CMOS圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
O 引言 CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器相比，具有功耗低、集成度高，便于采用高速的并行讀取體系等優(yōu)點(diǎn)，因而在圖像傳感、天文觀測(cè)、星敏感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前圖像采集主要基于PCI總線或其他傳統(tǒng)接串并
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低壓低功耗CMOS電流反饋運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
放大器作為集成電路的一種重要的組成部分是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。電壓模式放大器有一個(gè)明顯的缺點(diǎn)就是隨著被處理信號(hào)的頻率越來(lái)越高,電壓模式電路的固有缺點(diǎn)開(kāi)始阻礙它在高頻高速環(huán)境中的應(yīng)用。主要由于閉環(huán)增益和閉
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無(wú)線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢(shì)
采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點(diǎn)。而最近發(fā)布的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器主要是針對(duì)有線應(yīng)用設(shè)計(jì)的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點(diǎn)使其能夠非常容易地?cái)U(kuò)展到更加廣泛的無(wú)線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過(guò)它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無(wú)線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
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3G中的CMOS基RF集成
用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)?！ 」杓夹g(shù)和集成關(guān)鍵元件單元(如RF 收
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