用CMOS構(gòu)成時(shí)間調(diào)節(jié)電焊機(jī)電路-a

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護(hù)

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護(hù)

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完

三星曬新技術(shù)：32nm雙核CPU1600萬(wàn)CMOS

為了在移動(dòng)終端領(lǐng)域取得更好的成績(jī)，頻頻推出新款手機(jī)、平板等設(shè)備顯然不夠。當(dāng)天三星還通過(guò)旗下Mobile Solutions Forum展示了該公司最新的處理器和傳感器技術(shù)。此次三星展示的是自家最新研發(fā)的雙核處理Exynos 4212，

三星曬新技術(shù)：32nm雙核CPU+1600萬(wàn)CMOS

為了在移動(dòng)終端領(lǐng)域取得更好的成績(jī)，頻頻推出新款手機(jī)、平板等設(shè)備顯然不夠。當(dāng)天三星還通過(guò)旗下Mobile Solutions Forum展示了該公司最新的處理器和傳感器技術(shù)。 此次三星展示的是自家最新研發(fā)的雙核處理Exynos 4

奇景去年?duì)I收衰退7.2%　估本季毛利率下滑

胡皓婷／臺(tái)北 TFT LCD驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)業(yè)者奇景光電公布2010年財(cái)報(bào)，因客戶(hù)調(diào)整供貨比例的影響，奇景大尺寸驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收在2010年出現(xiàn)年衰退25.7%的情況，也是全年?duì)I收較2009年同期減少7.2%的主因。奇景執(zhí)行長(zhǎng)吳炳昌表示，雖

2024年CMOS半導(dǎo)體技術(shù)或?qū)⒈皇┤〈?/a>

石墨烯將在2024年取代CMOS半導(dǎo)體技術(shù)？

CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專(zhuān)題演講上所發(fā)表的看法。「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出

采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)

摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25μm CMOS工藝，射頻信號(hào)為2．

石墨烯將在2024年取代CMOS半導(dǎo)體技術(shù)？

CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專(zhuān)題演講上所發(fā)表的看法?！甘┮呀?jīng)展現(xiàn)出

產(chǎn)生滿(mǎn)幅方波的CMOS555振蕩器電路圖

CMOS數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電路圖

美格納宣布提供三重電壓10V CMOS制程應(yīng)用于高效能混合產(chǎn)品

南韓專(zhuān)業(yè)于研發(fā)制造數(shù)位類(lèi)比訊號(hào)產(chǎn)品的半導(dǎo)體大廠美格納，今宣布將提供三重電壓制程來(lái)整合晶片外的高壓電路至標(biāo)準(zhǔn)雙匣極制程以應(yīng)用于高效能混合訊號(hào)產(chǎn)品。該三重電壓制程之創(chuàng)舉為：將不需額外加層的CMOS電晶體設(shè)計(jì)嵌

IDT 推出全球首款支持超高速USB 3.0 CMOS 振蕩器

21ic訊 IDT 公司日前宣布，推出全球首個(gè)支持苛刻的 5Gbps 超高速控制器應(yīng)用要求的新器件系列，擴(kuò)展了IDT 在 CrystalFree CMOS 振蕩器產(chǎn)品線的產(chǎn)品組合。新系列的IDT CMOS 振蕩器符合所有的超高速 USB 3.0 規(guī)格，包括

Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

手機(jī)高級(jí)功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機(jī)用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性，Adaptiv

CCD和CMOS主要技術(shù)分析

CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)

用CMOS反相器制成的線性放大器

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT

晶圓代工廠Q4業(yè)績(jī)?nèi)杂型麖椛?惟估仍低于Q2

晶圓代工廠7月份營(yíng)收，臺(tái)積電(2330)、世界(5347)小幅攀升，聯(lián)電(2303)下挫，整體來(lái)看，第三季因?yàn)閹?kù)存去化持續(xù)進(jìn)行，產(chǎn)能利用率降至低點(diǎn)，營(yíng)收、獲利均會(huì)有明顯減幅。而市場(chǎng)關(guān)心的是，第四季是否能順利反彈回升，達(dá)到