聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上,雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn),此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)
近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬“大小M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并?!癕兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設(shè)計(jì)公司帶來(lái)很大的競(jìng)爭(zhēng)壓力,而原本就缺資金、缺平
富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設(shè)計(jì)之“渴” 近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸
半導(dǎo)體工業(yè)目前已經(jīng)進(jìn)入65納米及以下技術(shù)時(shí)代,關(guān)鍵特征通常為納米級(jí),如此小特征的制造工藝要求特殊的測(cè)量?jī)x器,以便能夠表征出納米級(jí)幾何尺寸,從而檢驗(yàn)出任何偏離工藝規(guī)格中心值的情況,確保與設(shè)計(jì)規(guī)格保持一致。
在65nm制造工藝條件下,依靠電池供電的器件正在大量出現(xiàn)。這種先進(jìn)的工藝技術(shù)使得新器件較前代工藝的同類器件具有很多改進(jìn)。采用65nm工藝之后,設(shè)計(jì)人員可以在一塊單獨(dú)的裸片上集成遠(yuǎn)多于過(guò)去的晶體管,還可以在器件
“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項(xiàng)旨在開(kāi)發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國(guó)高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況,帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)
英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片
英飛凌科技股份公司近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺(tái)積電(TSMC)于2009年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)65 納米 eFlash MCU的結(jié)果。 首款批量生產(chǎn)的產(chǎn)品
聯(lián)華電子與賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)日前共同宣佈,雙方已採(cǎi)用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,硅-氧-氮化硅-氧-硅)快閃記憶體技術(shù),成功產(chǎn)出了有效硅晶片(working silicon)。聯(lián)華電子將採(cǎi)用此
非易失性存儲(chǔ)芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布,將把自己一項(xiàng)有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權(quán)給中芯國(guó)際使用,中芯國(guó)際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項(xiàng)專利技術(shù)的NVM存儲(chǔ)芯片。Kilopass同時(shí)表示,他們已經(jīng)成
〔記者高嘉和/臺(tái)北報(bào)導(dǎo)〕法人圈傳出,臺(tái)積電(2330)將大量采用本土廠商已通過(guò)驗(yàn)證的耗材原料,原有供應(yīng)臺(tái)積電鉆石碟及再生晶圓的中砂(1560)受益最多,下半年中砂營(yíng)運(yùn)將因此有爆炸性演出。 中砂三大主力產(chǎn)品依
Billerbeck介紹Lattice Semiconductor公司業(yè)務(wù)戰(zhàn)略(點(diǎn)擊放大) 2011年5月24日,美國(guó)萊迪思半導(dǎo)體公司(Lattice Semiconductor)在東京舉行業(yè)務(wù)說(shuō)明會(huì),該公司總裁兼首席執(zhí)行官Darin Billerbeck介紹了今后的發(fā)展戰(zhàn)
4月25日下午消息在日前舉行的“TD-SCDMA/LTE芯片及終端產(chǎn)業(yè)高峰論壇(上海)暨聯(lián)芯科技2011年度客戶大會(huì)”上,聯(lián)芯科技密集推出了三款65nm/55nm的自主研發(fā)TD芯片,覆蓋低成本功能手機(jī)、無(wú)線固話、智能終端等多個(gè)領(lǐng)域
02專項(xiàng)的實(shí)施,對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)尤其是設(shè)備企業(yè)來(lái)說(shuō),具有歷史性的意義,因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備的研發(fā)所需資金數(shù)額巨大,若完全由國(guó)內(nèi)企業(yè)自己承擔(dān),恐怕難以承受其重。02重大專項(xiàng)的實(shí)施,不僅表明國(guó)家支持半導(dǎo)體支撐業(yè)
就目前國(guó)際半導(dǎo)體制造工藝成熟與否而言,65nm應(yīng)該是個(gè)公認(rèn)的分界點(diǎn),畢竟進(jìn)入65nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)者已大為減少,而以中芯國(guó)際為代表的中國(guó)半導(dǎo)體制造水平及能力,則剛完成65nm工藝的批量化生產(chǎn),另一條華力微65nm生產(chǎn)線
極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項(xiàng),簡(jiǎn)稱IC裝備專項(xiàng),屬于電子信息板塊。該專項(xiàng)的主要任務(wù)是實(shí)現(xiàn)IC制造核心裝備和制造工藝的突破,支撐我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。IC裝備專項(xiàng)由北京市、上海市牽頭組織實(shí)施,是唯一一個(gè)
賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)今日宣布,該公司已授權(quán)寅通科技股份有限公司(Innopower)推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-VolatileMemory)存儲(chǔ)器技術(shù)的IP。根據(jù)授權(quán)協(xié)議,寅通科技(Innopower)
華力微電子的經(jīng)營(yíng)管理機(jī)構(gòu)會(huì)議經(jīng)研究決定,基于項(xiàng)目設(shè)備安裝調(diào)試進(jìn)度和前期技術(shù)準(zhǔn)備的進(jìn)展,以及2011年產(chǎn)能已全部落實(shí)客戶的情況,項(xiàng)目將于4月初進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段,并在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)?;慨a(chǎn)。同時(shí)
1月17日,華力微電子的經(jīng)營(yíng)管理機(jī)構(gòu)會(huì)議經(jīng)研究決定,基于項(xiàng)目設(shè)備安裝調(diào)試進(jìn)度和前期技術(shù)準(zhǔn)備的進(jìn)展,以及2011年產(chǎn)能已全部落實(shí)客戶的情況,項(xiàng)目將于4月初進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段,并在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)?;?/p>
業(yè)內(nèi)消息,中芯國(guó)際近期獲得了大量訂單,這些訂單主要來(lái)自國(guó)際一體化企業(yè)。訂單內(nèi)容包括90nm以及65nm的處理器。消息指出,中芯國(guó)際能獲得這些訂單的主要原因是他們高效的生產(chǎn)效率以及低廉的價(jià)格。相比之下,臺(tái)積電和