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[導(dǎo)讀]聯(lián)華電子與賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)日前共同宣佈,雙方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,硅-氧-氮化硅-氧-硅)快閃記憶體技術(shù),成功產(chǎn)出了有效硅晶片(working silicon)。聯(lián)華電子將採用此

聯(lián)華電子賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)日前共同宣佈,雙方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,硅-氧-氮化硅-氧-硅)快閃記憶體技術(shù),成功產(chǎn)出了有效硅晶片(working silicon)。聯(lián)華電子將採用此新製程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC® 可編程系統(tǒng)單晶片,以及nvSRAM和其他產(chǎn)品。此外,聯(lián)華電子也將在Cypress授權(quán)協(xié)議下,將此技術(shù)提供給其他公司使用。
此一嶄新的S65TM製程,係採用65奈米SONOS嵌入式NVM (nonvolatile memory,非揮發(fā)性記憶體)技術(shù),此製程現(xiàn)已順利與聯(lián)華電子標(biāo)準LL65製程整合。凡是採用LL65製程的晶片設(shè)計,不論是現(xiàn)有或新的設(shè)計,現(xiàn)都可輕易地加入嵌入式快閃記憶體,享有快速產(chǎn)品上市時間,低開發(fā)成本,且?guī)缀醪粫ζ渌柚秦數(shù)脑O(shè)計產(chǎn)生干擾等優(yōu)點。S65製程的主要優(yōu)勢包含了高耐力,低功耗,及抵抗記憶體因為宇宙射線而發(fā)生軟錯誤的錯誤率(SER,Soft Error Rate)。相較于其他嵌入式快閃記憶體技術(shù)需要外加7-12層光罩,此技術(shù)僅需要在標(biāo)準CMOS製程之外,額外加上三層光罩即可。S65製程同時可提供客戶高良率與低測試成本。就Cypress產(chǎn)品而言,和採用現(xiàn)有0.13微米S8TM製程生產(chǎn)相比,此一新製程預(yù)期將可減少75%的陣列尺寸,并且減少一半的功耗。
“我們非常高興能與晶圓專工製造業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者攜手,共同推動了此尖端技術(shù)的上市,” Cypress全球製造與營運執(zhí)行副總Shahin Sharifzadeh表示,“Cypress十分期待于產(chǎn)品群內(nèi),加入採用S65TM製程所生產(chǎn)的高效能新產(chǎn)品。同時也將與聯(lián)華電子并肩努力,將此技術(shù)授權(quán)給聯(lián)華電子廣大的全球客戶群使用。”
“身為以客戶需求為導(dǎo)向的晶圓專工廠商,聯(lián)華電子不斷致力于為客戶推出更精進的製程選擇”,聯(lián)華電子資深副總顏博文表示,“今日嵌入式NVM已成為諸多晶片設(shè)計的主要特性。為此,聯(lián)華電子提供了一個極富價值的技術(shù)解決方桉,透過成功地整合S65TM與LL65製程,藉此滿足客戶的需求。我們期望將採用此製程技術(shù)的Cypress與其他客戶產(chǎn)品,儘快帶入量產(chǎn)。”
聯(lián)華電子S65TM製程預(yù)計于今年度第三季上市。
 

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