在這樣一個(gè)制造商頗難脫穎而出的市場(chǎng)上,LG發(fā)布的2019款新機(jī)LG G8ThinQ 將扭轉(zhuǎn)局面:采用專用飛行時(shí)間(ToF)攝像頭的智能手機(jī)首度問(wèn)世。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)在西班牙巴塞羅那2019年世界移動(dòng)通信大會(huì)上展示第四代REAL3™圖像傳感器IRS2771C。該3D飛行時(shí)間(ToF)單芯片器件旨在滿足移動(dòng)消費(fèi)終端市場(chǎng)的需求,特別是滿足利用小鏡頭支持更高分辨率的需求。
2019年的半導(dǎo)體市場(chǎng)可能趨冷,這是很多機(jī)構(gòu)給出的預(yù)測(cè)。但是英飛凌對(duì)自己未來(lái)的業(yè)績(jī)依舊充滿信心。
英飛凌科技大中華區(qū)總裁蘇華博士和英飛凌科技股份公司企業(yè)傳播及政府事務(wù)全球副總裁 Klaus Walther等人對(duì)于2018年的營(yíng)收和2019年的戰(zhàn)略進(jìn)行了分享。蘇華表示,2019年英飛凌將發(fā)揮差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),堅(jiān)持與中國(guó)共贏的策略,實(shí)現(xiàn)高于市場(chǎng)平均水平的高增長(zhǎng)速度。
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主,但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中,硅基器件有些捉襟見(jiàn)肘,而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場(chǎng)景。這主要是因?yàn)?,他們屬于寬禁帶半?dǎo)體材料,與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特。
英飛凌科技大中華區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)榮膺“2018年大中華區(qū)最佳職場(chǎng)”殊榮。這是繼2016年之后,英飛凌再獲此項(xiàng)榮譽(yù),也是唯一一家兩度獲得這一殊榮的半導(dǎo)體企業(yè),彰顯了業(yè)界對(duì)于英飛凌人才發(fā)展理念及實(shí)踐的高度認(rèn)可,同時(shí)也體現(xiàn)了員工對(duì)公司的信任與支持。
未來(lái)十年,基于氮化鎵的器件市場(chǎng)總值有望超過(guò)10億美元,從市場(chǎng)的分布來(lái)說(shuō),電源類產(chǎn)品大概占到整個(gè)市場(chǎng)的40%左右。在汽車類的應(yīng)用可能起步得比較晚,但是它的成長(zhǎng)非常快,未來(lái)汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用是一個(gè)非常大的應(yīng)用。
英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開(kāi)關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。
英飛凌(Infineon)宣布,其已收購(gòu)一家名為 Siltectra 的初創(chuàng)企業(yè),將一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)(Cold Spilt)也收入了囊中?!袄淝懈睢笔且环N高效的晶體材料加工工藝,能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低。英飛凌將把這項(xiàng)技術(shù)用于 SiC 晶圓的切割上,從而讓單片晶圓可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番。據(jù)悉,本次收購(gòu)征得了大股東 MIG Fonds 風(fēng)投的同意,報(bào)價(jià)為 1.24 億歐元(1.39 億美元 / 9.7 億 RMB)。