基于ARM9的1553B與CAN總線轉(zhuǎn)換卡的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
從事電子相關(guān)材料業(yè)務(wù)等的JSR子公司——美國(guó)JSR Micro與美國(guó)IBM就共同開發(fā)32nm工藝和22nm工藝半導(dǎo)體技術(shù)的新材料和工藝達(dá)成了合作協(xié)議。 此次締結(jié)協(xié)議的目的是,雙方將把低介電率層間絕緣膜(low-k)材料和光阻材
手機(jī)研發(fā)面臨的環(huán)境日益復(fù)雜,多項(xiàng)目、高風(fēng)險(xiǎn)、快變化、嚴(yán)質(zhì)量、短工期、低成本已經(jīng)成為企業(yè)項(xiàng)目管理的主要特征,手機(jī)研發(fā)項(xiàng)目數(shù)量多,使公司領(lǐng)導(dǎo)層與企業(yè)職能部門之間,職能部與各個(gè)事業(yè)部之間,以及事業(yè)部
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小,但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。 在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,英特爾的高級(jí)技術(shù)專家,工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案,Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)
在CAN消極報(bào)錯(cuò)幀分界符中發(fā)生的格式錯(cuò)會(huì)引起該消極報(bào)錯(cuò)節(jié)點(diǎn)處于等效離線狀態(tài),以及由該節(jié)點(diǎn)發(fā)送的消息優(yōu)先級(jí)逆轉(zhuǎn)。本文討論了發(fā)生此問(wèn)題的情景、后果以及解決方案。
芯片尺寸將會(huì)在未來(lái)幾年持續(xù)減小,但芯片制造商會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,英特爾的高級(jí)技術(shù)專家,工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案,Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點(diǎn)
英特爾列出集成電路工藝節(jié)點(diǎn)縮小的五個(gè)挑戰(zhàn)
北京時(shí)間2月4日下午消息,半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)供應(yīng)商英國(guó)ARM公布截止至2008年12月31日的2008年第四季度及2008全年未審計(jì)財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示第四季度營(yíng)收1.494億美元同比增15%;2008年全年?duì)I收達(dá)5.462億美元同比增6%,兩項(xiàng)
通過(guò)對(duì)RS485、CAN與FlexRay協(xié)議中有關(guān)抗干擾能力的指標(biāo)的比較與分析,說(shuō)明CAN總線在抗干擾設(shè)計(jì)上有獨(dú)到之處:在物理層上,總線信號(hào)的二值性以及發(fā)生競(jìng)爭(zhēng)時(shí)結(jié)果的唯一性,使總線有高抗干擾信號(hào)閾值并在出錯(cuò)時(shí)可及時(shí)發(fā)現(xiàn);在數(shù)據(jù)鏈路層上,設(shè)計(jì)了出錯(cuò)時(shí)的報(bào)錯(cuò)幀發(fā)送以及出錯(cuò)自動(dòng)重發(fā)功能,保證了總線上數(shù)據(jù)的一致性以及無(wú)需應(yīng)用層干預(yù)的糾錯(cuò)能力。這些特點(diǎn)使CAN總線在環(huán)境惡劣的應(yīng)用場(chǎng)合有著明顯的優(yōu)勢(shì)。
通過(guò)對(duì)RS485、CAN與FlexRay協(xié)議中有關(guān)抗干擾能力的指標(biāo)的比較與分析,說(shuō)明CAN總線在抗干擾設(shè)計(jì)上有獨(dú)到之處:在物理層上,總線信號(hào)的二值性以及發(fā)生競(jìng)爭(zhēng)時(shí)結(jié)果的唯一性,使總線有高抗干擾信號(hào)閾值并在出錯(cuò)時(shí)可及時(shí)發(fā)現(xiàn);在數(shù)據(jù)鏈路層上,設(shè)計(jì)了出錯(cuò)時(shí)的報(bào)錯(cuò)幀發(fā)送以及出錯(cuò)自動(dòng)重發(fā)功能,保證了總線上數(shù)據(jù)的一致性以及無(wú)需應(yīng)用層干預(yù)的糾錯(cuò)能力。這些特點(diǎn)使CAN總線在環(huán)境惡劣的應(yīng)用場(chǎng)合有著明顯的優(yōu)勢(shì)。
在不久前于美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上,不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn),只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文;事實(shí)上,不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā),究竟在這個(gè)領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?
在不久前于美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上,不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn),只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文;事實(shí)上,不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā),究竟在這個(gè)領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?
三個(gè)月的變化竟然如此之大!在第二季開始的時(shí)候,半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商仍然面臨主要存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商削減資本支出的打擊。不過(guò),雖然整個(gè)產(chǎn)業(yè)仍然產(chǎn)能過(guò)剩,但只要需求溫和成長(zhǎng),仍然有很大的可能性實(shí)現(xiàn)供需平衡。 半導(dǎo)
三個(gè)月的變化竟然如此之大!在第二季開始的時(shí)候,半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商仍然面臨主要存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商削減資本支出的打擊。不過(guò),雖然整個(gè)產(chǎn)業(yè)仍然產(chǎn)能過(guò)剩,但只要需求溫和成長(zhǎng),仍然有很大的可能性實(shí)現(xiàn)供需平衡。 半
三個(gè)月的變化竟然如此之大!在第二季開始的時(shí)候,半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商仍然面臨主要存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商削減資本支出的打擊。不過(guò),雖然整個(gè)產(chǎn)業(yè)仍然產(chǎn)能過(guò)剩,但只要需求溫和成長(zhǎng),仍然有很大的可能性實(shí)現(xiàn)供需平衡。 半導(dǎo)