英文句號(hào)"." 容下約600萬(wàn)個(gè)電晶體

Intel 宣布將正式量產(chǎn)全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體，再次向宣示其半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，回首半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，首顆電晶體成品非常大，甚以可以用手直接進(jìn)行組裝，與全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體相較， 1

碳基電子帶領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)邁向奈米微縮制程

工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示，半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代，制程及電晶體將面臨物理上微縮極限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來(lái)取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后，

碳基電子帶領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)邁向奈米微縮制程

工研院電光所所長(zhǎng)詹益仁表示，半導(dǎo)體在后CMOS時(shí)代，制程及電晶體將面臨物理上微縮極限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半導(dǎo)體界普遍看好未來(lái)取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年諾貝爾獎(jiǎng)肯定石墨稀材料的優(yōu)異表現(xiàn)后

28nm后實(shí)體驗(yàn)證工具將產(chǎn)生巨大變革

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制程幾何技術(shù)微縮腳步從不曾停歇。從40nm開(kāi)始，除了在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中數(shù)據(jù)尺寸的幾何成長(zhǎng)因素外，過(guò)去從不考慮半導(dǎo)體制程相關(guān)議題的設(shè)計(jì)師們，也不得不開(kāi)始將日益復(fù)雜的實(shí)體因素納入考量。對(duì)設(shè)計(jì)師而言，

英特爾奔騰4芯片涉嫌侵犯專(zhuān)利遭起訴

AVM公司在特拉華州美國(guó)地區(qū)法院對(duì)英特爾推出起訴，指控英特爾侵犯了它的一項(xiàng)芯片設(shè)計(jì)專(zhuān)利。AVM稱(chēng)，它擁有一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)邏輯電路”的技術(shù)專(zhuān)利，美國(guó)專(zhuān)利編號(hào)是5,859,547。這項(xiàng)專(zhuān)利是關(guān)于使用高速和低功率動(dòng)

用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路

電路的功能在光接收電路中，如果外來(lái)光引起誤動(dòng)作，可靠性就會(huì)下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識(shí)別平均外來(lái)光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài)，還有與驅(qū)動(dòng)頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過(guò)光電晶體管

跳過(guò)22納米，TSMC宣布直接發(fā)展20納米工藝

國(guó)際電子商情訊 臺(tái)積電TSMC日前在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)中宣布，將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于“為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。 此次技術(shù)研討會(huì)有1,50

TSMC宣布跳過(guò)22納米 直接發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。 此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶(hù)及

TSMC宣布跳過(guò)22納米直接發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶(hù)及合

TSMC宣布跳過(guò)22納米 直接發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶(hù)及合

臺(tái)積電宣布發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國(guó)加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶(hù)及合

OTFT軟性背板備受矚目 力爭(zhēng)電子紙背板主流

因兼具小彎曲半徑和高電子遷移率(Mobility)優(yōu)勢(shì)，有機(jī)薄膜電晶體OTFT成為主流電子紙軟性背板的呼聲極高，目前索尼Sony、日本印刷DNP、Plastic Logic、Polymer Vision、臺(tái)灣工研院等皆競(jìng)相發(fā)表最新OTFT軟性背板技術(shù)，

新型VEMT系列硅NPN光電晶體管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列 VEMT 寬角光電晶體管。

Avago 新型多通道光電晶體管光電耦合器

英國(guó)研制出人造太陽(yáng)光發(fā)光二極管照明技術(shù)

英國(guó)巴思大學(xué)的科學(xué)家日前研制成功一種能夠發(fā)出人造太陽(yáng)光的發(fā)光二極管（LEDs）。 專(zhuān)家表示，一旦這種發(fā)光二極管的應(yīng)用得到普及，那么因長(zhǎng)時(shí)間在辦公室或工廠的人造光環(huán)境下工作而導(dǎo)致的頭疼以及眼睛疲勞等現(xiàn)象，將

英國(guó)大學(xué)研制人造陽(yáng)光發(fā)光二極管照明技術(shù)

英國(guó)巴思大學(xué)的科學(xué)家日前研制成功一種能夠發(fā)出人造太陽(yáng)光的發(fā)光二極管（LEDs）。 專(zhuān)家表示，一旦這種發(fā)光二極管的應(yīng)用得到普及，那么因長(zhǎng)時(shí)間在辦公室或工廠的人造光環(huán)境下工作而導(dǎo)致的頭疼以及眼睛疲勞等現(xiàn)象，將