Intel 宣布將正式量產全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體，再次向宣示其半導體領域的領導地位，回首半導體技術發(fā)展，首顆電晶體成品非常大，甚以可以用手直接進行組裝，與全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體相較， 1 個英文句號已擁有 600 萬個電晶體，形成強烈對比。

世界上首顆電晶體是由 William Shockley 、 John Bardeen 和 Walter Brattain 于 1947 年 12 月 16 日在貝爾實驗室完成， 1950 年 William Shockley 開發(fā)出雙極結型電晶體，正是現在通行的 2D 標準電晶體，但要直至 1954 年 10 月 18 日，首款采用電晶體技術產品「 Regency TR1 」收音機才正式上市，內含四顆鍺電晶體。

最初的電晶體技術對收音機和電話而言已經足夠，直至 1961 年 4 月 25 日羅伯特諾伊斯獲得首個積體電路專利，令人們對電晶體設備要求開始提高，正式進入積體電路時代。

60 年代的電晶體技術使用傳統(tǒng)的二氧化矽 SiO2 柵介質，但 1965 年由摩爾和諾伊斯創(chuàng)建的 Intel ，于 1969 年成功開發(fā)出 PMOS 矽柵極電晶體技術，引入了新的多晶矽柵電極，兩年后的 1971 年首顆處理器 Intel 4004 面市，采用 2 吋晶圓 PMOS 制程，處理器內含 2250 個電晶體。

1985 年，推出的 Intel 80386 處理器已擁有 275,000 個電晶體，采用了當時創(chuàng)新 1.5 微米 CMOS 制程，電晶體數目比 Intel 4004 處理器多出 100 多倍。 2002 年，半導體領域進入奈米年代， Intel 運用全新的應變矽高速銅質接頭和新型 Low-k 介質材料，達成全新 90nm 制程，其中這是業(yè)內首次在生產工藝中采用應變矽。

2007 年， Intel 再次以突破性的 High-k 金屬柵極電晶體，達成全新 45nm 處理器產品， 2009 年，再以經改良的第二代 High-k 金屬柵極電晶體，達成全新 32nm 制程處理器產品。

2011 年，在距離首顆電晶體面市 60 多年后， Intel 把電晶體由 2D 時代進入 3D 時代，全新 22nm 3D Tri-Gate 電晶體將可令半導體制程技術打破傳統(tǒng)物理限制，并為未來半導體發(fā)展帶來重大影響。


32nm 2D 電晶體與 22nm 3D 電晶體的差異

Intel 22nm 制程知多點 !?

1 個英文句號能容納 600 萬個電晶體一根頭發(fā)的寬度約為 4 千多個 22nm 電晶體，相等于兩顆 Intel 4004 處理器，如果一幢普通房子按照電晶體的發(fā)展速度持續(xù)縮小，那么你必需要通過顯微鏡才能看到它。

如果要用肉眼看得到 22nm 電晶體，等同把一顆處理器放大至與一幢普通房子還要巨型， 22nm 處理器的運行速度是 Intel 4004 處理器的 4000 多倍，每顆電晶體功耗下降 5000 多倍，價格是原來的 5 萬份之 1 。

22nm 電晶體 1 秒內將開關 1000 億次，如果以人手開關電燈要花上 2 千年時間， Intel 每秒可以生產約 50 億個電晶體，每年總數是 150,000,000,000,000,000 個。