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DisplaySearch：金屬氧化物面板產(chǎn)能成長快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專業(yè)顯示器市調(diào)機構(gòu)DisplaySearch預估，這項高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更高
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金屬氧化物面板產(chǎn)能成長快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專業(yè)顯示器市調(diào)機構(gòu) DisplaySearch預估，這項高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更高
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金屬氧化物面板產(chǎn)能成長快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專業(yè)顯示器市調(diào)機構(gòu) DisplaySearch預估，這項高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更
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用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
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可由CR設定數(shù)微秒至數(shù)十秒時間的通用定時器
可由CR設定數(shù)微秒至數(shù)十秒時間的通用定時器
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柔性電子可用來打印超速石墨烯芯片
近日消息，據(jù)美國科技博客Gizmodo報道，未來主義者總是認為柔性電子能夠以驚人的方式改變我們未來的生活，但這些頭腦風暴式的想法至今還沒能問市。日前，一支由美國德克薩斯州大學的科學家組成的研究小組發(fā)現(xiàn)了改變未
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柔性電子可用來打印超速石墨烯芯片
近日消息，據(jù)美國科技博客Gizmodo報道，未來主義者總是認為柔性電子能夠以驚人的方式改變我們未來的生活，但這些頭腦風暴式的想法至今還沒能問市。日前，一支由美國德克薩斯州大學的科學家組成的研究小組發(fā)現(xiàn)了改變未
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FinFET復雜度破表 半導體設備商投資不手軟
鰭式電晶體(FinFET)制程將帶動新一波半導體設備投資熱潮。由于FinFET導入立體式電晶體結(jié)構(gòu)，使得晶圓制程中的蝕刻和缺陷檢測復雜度較以往大幅攀升，因此包括科林研發(fā)(Lam Research)和東京威力科創(chuàng)(TEL)等半導體設備大
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晶圓廠的FinFET混搭制程競賽
一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米
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縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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晶圓廠的FinFET混搭制程競賽
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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市場競爭激烈 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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UMC與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28奈米低功耗制程技術(shù)
Marketwired23日，臺灣新竹, 加州洛斯加托斯--聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28奈米制程。該項制程將SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)電晶體技術(shù)整合到UMC
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應材：半導體材料改善對芯片性能提升至關(guān)重要
半導體設備大廠應材(Applied Materials)的磊晶設備部門主管Schubert Chu表示，半導體材料的改善在每個制程節(jié)點對 IC性能提升的貢獻度達近90%，該數(shù)字在2000年時僅15%。Chu在近日于美國舉行的Semicon West 展會上接受
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臺清華大學教授高頻調(diào)變LED技術(shù)獲國際認可
臺灣清華大學電機工程學系吳孟奇教授研究團隊，利用氮化物材料特性，研發(fā)出高頻發(fā)光二極管(LED)，未來可應用于可見光通訊與高解析度顯示屏等領(lǐng)域。臺灣清華電機系徐碩鴻教授研究團隊同樣也利用氮化物材料，研發(fā)出可提
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工研院開發(fā)IGZO TFT低溫制程，將赴日發(fā)表
工研院于12/3與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表雙方合作開發(fā)、可應用于未來軟性顯示器的半導體氧化物電晶體陣列技術(shù)（IGZO, In-Ga-Zn-OTFT），這項創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列技術(shù)系采≦200°C低溫制程，具備高撓曲特點，曲率
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五種降低未來IC功耗的技術(shù)
功耗過高已經(jīng)成為半導體制程尺寸進一步微縮的主要障礙，并且嚴重威脅到所有電子領(lǐng)域的一切進展──從推動行動設備更加微型化到開發(fā)超級電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永恆不變的物理和化學原理，但工程師們已經(jīng)開
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Sharp IGZO面板終獲市場青睞
IGZO面板大勢預估 Sharp最先進的IGZO（氧化銦鎵鋅）面板已有客戶排隊訂購，Sharp今年初曾透露難以找到買家。 附圖: 2008至2015年LTPS和IGZO高解析度背板的產(chǎn)量預估。資料來源：NPD Display Search 從2013年第1季起
