OLED大突破:日本制造成本將降至1/10

日經(jīng)新聞26日報導，日本山形大學時任靜士等教授已成功研發(fā)出一套可藉由印刷的方式來制造OLED面板驅(qū)動元件( 電晶體 )的新技術。報導指出，藉由利用該新技術，則只要結合作為發(fā)光體的有機化合物和塑膠制面板，則OLED面

IBM未來9納米電晶體以碳元素為主要材質(zhì)

Intel透露今年預計推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術，并且在接下來將進展到14nm，乃至于之后于2016年間也預計推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺。而看起來IBM也將不甘落后，目前官方宣布已

光電晶體管受光電路及其原理介紹

電路的功能在光接收電路中，如果外來光引起誤動作，可靠性就會下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識別平均外來光和脈沖波的電路。輸出不僅有導通、截止狀態(tài)，還有與驅(qū)動頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過光電晶體管

導入銀、鍺元件 開啟10奈米元件新世代

晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件，臺積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進14奈米世代，而國研院國家奈米元件實驗室于今(6)日更發(fā)表，導入銀、鍺兩種新元件材料，內(nèi)建矽基太陽能電池元件，做為未來綠能的10奈米元件世代

半導體技術進入10奈米世代　材料、機臺將是2大挑戰(zhàn)

連于慧／臺北 全球半導體產(chǎn)業(yè)奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發(fā)展雖有面臨瓶頸的挑戰(zhàn)，然目前半導體業(yè)者仍積極發(fā)展新材料，并在制程微縮上加緊腳步，國研院國家奈米元件實驗室便表示，「三角型鍺鰭式電晶體」技術可

新研發(fā)MEMS電晶體號稱能與CMOS電路整合

美國半導體研發(fā)聯(lián)盟機構Semiconductor Research (SRC)與康乃爾大學(Cornell University)合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)(MEMS)電晶體，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為 CMOS 晶片上的時序(timing)解決方案。 這種 MEMS-JFE

導入銀、鍺元件 開啟10奈米元件新世代

晶片微小化要幾奈米才夠看？英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件，臺積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進14奈米世代，而國研院國家奈米元件實驗室于今（6）日更發(fā)表，導入銀、鍺兩種新元件材料，內(nèi)建矽基太陽能電池元件，做為未來綠能的10奈米元件世

混合信號IC設計難度高　選對工具是好的開始

混合信號IC的現(xiàn)身要追溯自1980年代，而此技術的出發(fā)點當然也不出這數(shù)十年來半導體產(chǎn)業(yè)所追求的目標，亦即「小」。將類比和數(shù)位電路「混合」在一起，自然就能達到縮減占板空間的效用。隨著混合信號技術的不斷進展，此

十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本　而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7奈米節(jié)點；但在 7奈米

科學家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學學會

2024年CMOS半導體技術或?qū)⒈皇┤〈?/a>

石墨烯將在2024年取代CMOS半導體技術？

CMOS半導體技術將在2024年7nm制程時代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來取代這項技術的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上所發(fā)表的看法?！甘┮呀?jīng)展現(xiàn)出

石墨烯將在2024年取代CMOS半導體技術？

CMOS半導體技術將在2024年7nm制程時代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來取代這項技術的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上所發(fā)表的看法。「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出

英特爾IDF展示3D電晶體

林凱文／綜合外電 英特爾(Intel)于13日舉行的科技論壇(Intel Developer Forum；IDF)中展示其3D電晶體制程技術，并指出該公司于研發(fā)新制程方面領先眾對手近3年。 英特爾資深研究員Mark Bohr指出，在該公司導入應變

加拿大在納米電晶體領域取得新突破

加拿大納米技術研究所(National Institute for Nanotechnology, NINT)和阿爾伯塔大學的研究團隊證實利用微波爐可以創(chuàng)建制造模具，用來生產(chǎn)更小更復雜的晶片，降低制造納米級電晶體的生產(chǎn)成本。根據(jù)國際半導體技術準則

22nm之后:下一代電晶體競賽開跑

在22nm，或許是16nm節(jié)點，我們將需要全新的電晶體。而在這其中，爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術。這場比賽將關乎到電晶體的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的電晶體技術。英特

電晶體新突破 22奈米制程將量產(chǎn)

【大紀元2011年07月18日訊】（大紀元記者王明編譯報導）隨著半導體生產(chǎn)技術日益精密，電子產(chǎn)品的體積越縮越小，未來將達到現(xiàn)在技術無法達到的地步。全球晶片制造設備主要供應商應用材料公司（Applied Materials），最

英特爾3D立體結構22奈米電晶體締造新猷

英特爾(Intel)宣布其電晶體演進的重大突破，電晶體乃是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中十分微小的基礎元件。自從矽電晶體在50年前發(fā)明以來，首度采用三維(3D)立體結構的電晶體即將邁入量產(chǎn)。英特爾于2002年首次公開命名為Tri-Gate的革

導入3D　英特爾22奈米處理器年底量產(chǎn)

半導體電晶體結構將正式由平面式進入三維(3D)時代。英特爾(Intel)5日宣布將于22奈米制程處理器(內(nèi)部代號為Ivy Bridge)中，首度采用3D結構的電晶體設計，除電晶體整合密度更甚以往，效能顯著提升外，由于可在更低電壓

英特爾Tri-Gate電晶體技術導入量產(chǎn)　超微再度面臨苦戰(zhàn)

陳玉娟／臺北 英特爾(Intel)正式宣布電晶體演進的重大突破，同時也是處理器歷史性的創(chuàng)新，全球首款立體3閘(Tri-Gate)電晶體將進入量產(chǎn)階段，并將維持科技演進的步伐，于未來繼續(xù)推動摩爾定律，預計在2012年底正式登場