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英國科學(xué)家設(shè)計(jì)新型電晶體可讓可穿戴設(shè)備超低功耗運(yùn)行
英國劍橋大學(xué)（Cambridge University）日前推出新的電晶體設(shè)計(jì)，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運(yùn)作且耗電低于10億分之1瓦特。
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柔性光電晶體管創(chuàng)造新紀(jì)錄
受到哺乳動物眼睛的啟發(fā)，威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的電氣工程師創(chuàng)造了光敏度和響應(yīng)時(shí)間都優(yōu)于以往光電晶體管的柔性光電晶體管。這種創(chuàng)新的光電晶體管可以改善無數(shù)產(chǎn)品的性能，包括數(shù)碼相機(jī)、夜視鏡、煙霧探測器、監(jiān)控
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無半導(dǎo)體的異質(zhì)接面電晶體可望取代硅
美國密西根理工大學(xué)(Michigan Tech)透過結(jié)合石墨烯的高電子遷移率與氮化硼碳奈米管(BNNT)的絕緣層特性，期望開發(fā)出尺寸較矽(Si)更小且更具熱效能的無半導(dǎo)體(semiconductor-less)異質(zhì)接面電晶體，從而在國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)預(yù)期的2028年大限時(shí)接棒。
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IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展
IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍(lán)圖。
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不能再低調(diào)了！英特爾技壓晶圓代工廠3.5年
英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會議中表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過去10年的三個(gè)技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠至少3年以上時(shí)間。英特爾上周召開2014年投資人會議(Investor Meeting 2014)
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IBM矢志于2020年實(shí)現(xiàn)CNT電晶體
過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個(gè)原子組成。為了進(jìn)展
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納米碳管縮小電晶體尺寸
納米碳管是日本NEC實(shí)驗(yàn)室學(xué)者飯島澄男于1991年所發(fā)現(xiàn)，并發(fā)表在當(dāng)年的Nature雜志上，為納米級的管狀物質(zhì)，質(zhì)量輕、強(qiáng)度高、韌性高。納米碳管可分成單壁與多壁兩大類，合成方法包括電弧放電法、雷射蒸發(fā)法、有機(jī)化學(xué)氣
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IBM公司擬在2020年前實(shí)現(xiàn)碳奈米管電晶體(CNT)
過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個(gè)原子組成。為了進(jìn)展
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為芯片節(jié)能 五種降低未來IC功耗的技術(shù)
功耗過高已經(jīng)成為半導(dǎo)體制程尺寸進(jìn)一步微縮的主要障礙，并且嚴(yán)重威脅到所有電子領(lǐng)域的一切進(jìn)展──從推動行動設(shè)備更加微型化到開發(fā)超級電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永
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結(jié)束連2年衰退 功率晶體管銷售回溫
功率電晶體市場重拾成長動能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出，受到全球經(jīng)濟(jì)情勢不穩(wěn)定的影響，功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%；預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇，可望止跌回升，并創(chuàng)下年增率
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結(jié)束連2年衰退 功率晶體管銷售回溫
功率電晶體市場重拾成長動能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出，受到全球經(jīng)濟(jì)情勢不穩(wěn)定的影響，功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%；預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇，可望止跌回升，并創(chuàng)下年增率8%的表現(xiàn)，達(dá)125億美
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日本新型電晶體技術(shù)：電耗省100萬倍
【導(dǎo)讀】日本「物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術(shù)，不但耗電需求量是原來的百萬分之一，而且可以使電腦的開機(jī)時(shí)間接近為零。 日本「物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術(shù)，不但
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Altera采用英特爾14nm技術(shù)開辟新的應(yīng)用解決方案
【導(dǎo)讀】Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米叁閘極電晶體技術(shù)，制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路，以及電腦和儲存應(yīng)用解決方案。 摘要： Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Alt
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臺積電漢辰部署晶圓制程及離子布植設(shè)備市場
【導(dǎo)讀】臺積電與漢辰皆已針對未來可望取代硅的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)展新的晶圓制程，以及離子布植(Ion Implant)設(shè)備，期能在下一個(gè)半導(dǎo)體世代中，繼續(xù)站穩(wěn)市場。 摘要： 臺積電與漢辰皆已針對未來可望取代
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2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?
【導(dǎo)讀】在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。 摘要： 在新思科技(Synopsys)于美
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Altera14奈米三閘極電晶體制程有望明年啟動量產(chǎn)
【導(dǎo)讀】Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動量產(chǎn)。面對賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程，生產(chǎn)首批現(xiàn)場系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA
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英飛凌700W L頻段電晶體提供更高可靠性與耐用性
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出700W L頻段的 RF 功率電晶體，擁有最高的 L 頻段輸出功率(700W)，適用于作業(yè)頻率范圍介于1200-1400 MHz之間的雷達(dá)系統(tǒng)。藉由減少零件數(shù)量，全新的裝置可以降低系統(tǒng)成本，維持高
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可卷式數(shù)字屏幕即將成為現(xiàn)實(shí)
英國薩里大學(xué)(University of Surrey)的研究人員與飛利浦公司(Philips)的科學(xué)家共同開發(fā)出一種稱為「源閘電晶體」(SGT)的新技術(shù)，可望在不久的將來推動各種軟性電子實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，例如更負(fù)擔(dān)得起的可卷曲平板電腦等。
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英飛凌700W L頻段電晶體適合雷達(dá)系統(tǒng)
英飛凌(Infineon)推出700瓦(W) L頻段的射頻(RF)功率電晶體PTVA127002EV，適用于操作頻率范圍1200～1400MHz間的雷達(dá)系統(tǒng)。新裝置減少零件數(shù)量，可降低系統(tǒng)成本，維持高耐用性，同時(shí)增進(jìn)可靠性。雷達(dá)系統(tǒng)發(fā)射出特定頻率
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18吋晶圓與EUV微影難度高半導(dǎo)體制程面臨挑戰(zhàn)
根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，極紫外光(EUV)微影技術(shù)仍待克服，以及18吋晶圓計(jì)畫目前仍充滿變數(shù)，種種消息對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，已出現(xiàn)技術(shù)亟待突破的關(guān)鍵期。2012年，臺積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronic
