-
英國科學家設計新型電晶體可讓可穿戴設備超低功耗運行
英國劍橋大學（Cambridge University）日前推出新的電晶體設計，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應來源并可在1伏特下運作且耗電低于10億分之1瓦特。
-
柔性光電晶體管創(chuàng)造新紀錄
受到哺乳動物眼睛的啟發(fā)，威斯康星大學麥迪遜分校的電氣工程師創(chuàng)造了光敏度和響應時間都優(yōu)于以往光電晶體管的柔性光電晶體管。這種創(chuàng)新的光電晶體管可以改善無數(shù)產(chǎn)品的性能，包括數(shù)碼相機、夜視鏡、煙霧探測器、監(jiān)控
-
無半導體的異質(zhì)接面電晶體可望取代硅
美國密西根理工大學(Michigan Tech)透過結合石墨烯的高電子遷移率與氮化硼碳奈米管(BNNT)的絕緣層特性，期望開發(fā)出尺寸較矽(Si)更小且更具熱效能的無半導體(semiconductor-less)異質(zhì)接面電晶體，從而在國際半導體技術藍圖(ITRS)預期的2028年大限時接棒。
-
IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展
IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍圖。
-
不能再低調(diào)了！英特爾技壓晶圓代工廠3.5年
英特爾技術及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會議中表示，英特爾的電晶體制程技術在過去10年的三個技術世代，均領先晶圓代工廠至少3年以上時間。英特爾上周召開2014年投資人會議(Investor Meeting 2014)
-
IBM矢志于2020年實現(xiàn)CNT電晶體
過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個原子組成。為了進展
-
納米碳管縮小電晶體尺寸
納米碳管是日本NEC實驗室學者飯島澄男于1991年所發(fā)現(xiàn)，并發(fā)表在當年的Nature雜志上，為納米級的管狀物質(zhì)，質(zhì)量輕、強度高、韌性高。納米碳管可分成單壁與多壁兩大類，合成方法包括電弧放電法、雷射蒸發(fā)法、有機化學氣
-
IBM公司擬在2020年前實現(xiàn)碳奈米管電晶體(CNT)
過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個原子組成。為了進展
-
為芯片節(jié)能 五種降低未來IC功耗的技術
功耗過高已經(jīng)成為半導體制程尺寸進一步微縮的主要障礙，并且嚴重威脅到所有電子領域的一切進展──從推動行動設備更加微型化到開發(fā)超級電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永
-
結束連2年衰退 功率晶體管銷售回溫
功率電晶體市場重拾成長動能。市調(diào)機構IC Insights指出，受到全球經(jīng)濟情勢不穩(wěn)定的影響，功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%；預估今年隨著景氣復蘇，可望止跌回升，并創(chuàng)下年增率
-
結束連2年衰退 功率晶體管銷售回溫
功率電晶體市場重拾成長動能。市調(diào)機構IC Insights指出，受到全球經(jīng)濟情勢不穩(wěn)定的影響，功率電晶體整體銷售額在2012與2013年分別下滑8%和6%；預估今年隨著景氣復蘇，可望止跌回升，并創(chuàng)下年增率8%的表現(xiàn)，達125億美
-
日本新型電晶體技術：電耗省100萬倍
【導讀】日本「物質(zhì)材料研究機構」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術，不但耗電需求量是原來的百萬分之一，而且可以使電腦的開機時間接近為零。 日本「物質(zhì)材料研究機構」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術，不但
-
Altera采用英特爾14nm技術開辟新的應用解決方案
【導讀】Altera晶圓代工策略大轉彎。Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米叁閘極電晶體技術，制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路，以及電腦和儲存應用解決方案。 摘要： Altera晶圓代工策略大轉彎。Alt
-
臺積電漢辰部署晶圓制程及離子布植設備市場
【導讀】臺積電與漢辰皆已針對未來可望取代硅的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)展新的晶圓制程，以及離子布植(Ion Implant)設備，期能在下一個半導體世代中，繼續(xù)站穩(wěn)市場。 摘要： 臺積電與漢辰皆已針對未來可望取代
-
2014年底可望看到FinFET架構芯片?
【導讀】在新思科技(Synopsys)于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風險，而且該技術的最佳時機尚未達到。 摘要： 在新思科技(Synopsys)于美
-
Altera14奈米三閘極電晶體制程有望明年啟動量產(chǎn)
【導讀】Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動量產(chǎn)。面對賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程，生產(chǎn)首批現(xiàn)場系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA
-
英飛凌700W L頻段電晶體提供更高可靠性與耐用性
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出700W L頻段的 RF 功率電晶體，擁有最高的 L 頻段輸出功率(700W)，適用于作業(yè)頻率范圍介于1200-1400 MHz之間的雷達系統(tǒng)。藉由減少零件數(shù)量，全新的裝置可以降低系統(tǒng)成本，維持高
-
可卷式數(shù)字屏幕即將成為現(xiàn)實
英國薩里大學(University of Surrey)的研究人員與飛利浦公司(Philips)的科學家共同開發(fā)出一種稱為「源閘電晶體」(SGT)的新技術，可望在不久的將來推動各種軟性電子實現(xiàn)廣泛應用，例如更負擔得起的可卷曲平板電腦等。
-
英飛凌700W L頻段電晶體適合雷達系統(tǒng)
英飛凌(Infineon)推出700瓦(W) L頻段的射頻(RF)功率電晶體PTVA127002EV，適用于操作頻率范圍1200～1400MHz間的雷達系統(tǒng)。新裝置減少零件數(shù)量，可降低系統(tǒng)成本，維持高耐用性，同時增進可靠性。雷達系統(tǒng)發(fā)射出特定頻率
-
18吋晶圓與EUV微影難度高半導體制程面臨挑戰(zhàn)
根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報導，極紫外光(EUV)微影技術仍待克服，以及18吋晶圓計畫目前仍充滿變數(shù)，種種消息對半導體產(chǎn)業(yè)而言，已出現(xiàn)技術亟待突破的關鍵期。2012年，臺積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronic
