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聯(lián)發(fā)科5G晶片 估Q2量產(chǎn)

聯(lián)發(fā)科過去十多年來在全球手機晶片市場有相當?shù)恼加新驶A上，展現(xiàn)高度且精準的研發(fā)實力，在5G國際標準討論初期就參與5G標準制訂，如今成為全球5G技術標準的貢獻者之一。聯(lián)發(fā)科更積極爭取3GPP大會于2019年1月21日到臺灣舉辦，促進全球5G依共同標準順利發(fā)展，共同見證5G技術發(fā)展的重要時刻。

理解倒裝芯片和晶片級封裝技術及其應用

1 引言半導體技術的進步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能,這一集成規(guī)模在幾年前是無法想象的。因此,如果沒有IC封裝技術快速的發(fā)展，不可能實現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)品的設計。在消費類產(chǎn)品小型化和更輕、更薄發(fā)展趨勢的推動下

倒裝晶片貼裝設備

倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進半導體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見的應用有無線天線、藍牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密設備等。由于半導體元件的尺寸小，引腳的間距小，

倒裝晶片裝配對助焊劑應用單元的要求

助焊劑應用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分，其工作的基本原理就是要獲得設定厚度的穩(wěn)定的助焊劑薄 膜，以便于元件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。我們以環(huán)球儀器公司獲得專利的助焊劑薄膜應用單元（Linear Thin F

倒裝晶片的組裝基板的設計及制造

基板技術是倒裝晶片工藝需要應對的最大挑戰(zhàn)。因為尺寸很?。ㄐ〉脑〉那驈?，小的球間距，小的貼裝 目標），基板的變動可能對制程良率有很大影響：·密間距貼裝良率極易受限于阻焊膜和焊盤的尺寸公差；·由于尺寸

PCB倒裝晶片對照相機和影像處理技術的要求

倒裝晶片的組裝工藝流程

1．一般的混合組裝工藝流程在半導體后端組裝工廠中，現(xiàn)在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中，先在單獨的SMT生產(chǎn)線上組裝SMT 元件，該生產(chǎn)線由絲網(wǎng)印刷機、芯片貼裝機和第一個回流焊爐組成。然后再通過第二條生

SEMI：北美半導體設備出貨連兩月下滑 投資步伐放緩

SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)24公布最新Billing Report(出貨報告)，因半導體設備市場需求趨緩，7月北美半導體設備制造商出貨金額滑落至23.6億美元，為連續(xù)第二個月下滑，并創(chuàng)下近8個月新低。

倒裝晶片的非流動性底部填充工藝

非流動性底部填充工藝流程如圖1所示，其特點是將底部填充材料在晶片貼裝之前點涂在基板上，然后 在其上貼裝元件，在回流焊接爐內同時完成焊接和填料固化。圖1 非流動性底部填充工藝流程圖非流動底部填充工藝與傳統(tǒng)底

PCB倒裝晶片裝配對供料器的要求

倒裝晶片對照相機和影像處理技術的要求

要處理細小焊球間距的倒裝晶片的影像，需要百萬像素的數(shù)碼相機。較高像素的數(shù)碼相機有較高的放大倍率， 但像素越高，視像區(qū)域（FOV）越小，這意味著大的元件可能需要多次影像。照相機的光源一般為發(fā)光二極管 （LED）

倒裝晶片的貼裝工藝控制

由于倒裝晶片韓球及球問距非常小，相對于BGA的裝配，其需要更高的貼裝精度。同時也需要關注從晶片被吸 取到貼裝完成這一過程。在以下過程中，元件都有可能被損壞：·拾取元件；·影像處理：·助焊劑工藝：·元件調整

倒裝晶片的底部填充工藝

底部填充工藝就是將環(huán)氧樹脂膠水點涂在倒裝晶片邊緣，通過“毛細管效應”，膠水被吸往元件的對側完成底 部充填過程，然后在加熱的情況下膠水固化。為了加快膠水填充的速度，往往還需要對基板進行預熱。利用“毛 細管

倒裝晶片的組裝的助焊劑工藝

助焊劑工藝在倒裝晶片裝配工藝中非常重要。助焊劑不僅要在焊接過程中提供其化學性能以驅除氧化物和油污 ，潤濕焊接面，提高可焊性，同時需要起到黏接劑的作用。在元件貼裝過程中和回流焊接之前黏住元件，使其固 定在

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

在回流焊接爐中，倒裝晶片和其他元件要被焊接在基板上。在此過程中，如果加熱的溫度太高，或者時間太長 ，助焊劑便會在潤濕整個焊接面之前揮發(fā)或分解完，造成潤濕不良或其他焊接缺陷。另外，在復雜的混合裝配中 ，大

倒裝晶片裝配對板支撐及定位系統(tǒng)的要求

有些倒裝晶片應用在柔性電路板或薄型電路板上，這時候對基板的平整支撐非常關鍵。解決方案往往會用到載 板和真空吸附系統(tǒng)，以形成一個平整的支撐及精確的定位系統(tǒng)，滿足以下要求：①基板Z方向的精確支撐控制，支撐高

倒裝晶片的定義

什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來說，這類元件具備以下特點。①基材是硅；②電氣面及焊凸在元件下表面；③球間距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸為1～27 mm；④組裝在基板后需要做底部填充

倒裝晶片的回流焊接及填料固化后的檢查

對完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查，非破壞性的檢查有：·利用光學顯微鏡進行外觀檢查，譬如，檢查填料在元件側面爬升的情況，是否形成良好的邊緣圓角，元件表面 是否有臟污等；·利用X射線檢

倒裝晶片裝配對供料器的要求

要滿足批量高速高良率的生產(chǎn)，供料技術也相當關鍵。倒裝晶片的包裝方式主要有2×2和4×4 in JEDEC盤， 20O mm或300 mm晶圓盤（Wafer），還有卷帶料盤（Reel）。對應的供料器有：固定式料盤供料器 （Stationarytray f