晶圓
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三星半導體部門資本支出大減50%
1月6日消息，據(jù)臺灣媒體報道，三星傳出有意調降今年半導體部門資本支出，由6兆韓元大減五成至3兆韓元，而且僅達去年10兆韓元的30%，激勵昨（5）日DRAM現(xiàn)貨價開新春紅盤大漲逾4%，并朝1美元關卡靠攏，創(chuàng)波段新高。 三
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河南首條晶圓生產(chǎn)線建成投產(chǎn) 年產(chǎn)3萬余片
12月28日，河南省重點建設項目晶誠科學園晶圓生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)儀式舉行。據(jù)了解，竣工投產(chǎn)的晶圓生產(chǎn)線將具備年產(chǎn)3萬余片晶圓的能力，產(chǎn)值約2000萬美元。晶誠科學園項目位于鄭州出口加工區(qū)，總占地面積700畝，截至目前共完成投資20億元人民幣。
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華邦選用惠瑞捷V5400系統(tǒng)測試閃存晶圓
惠瑞捷(Verigy)公司宣布，內存供貨商華邦電子(WinbondElectronics)已采購多套VerigyV5400閃存測試系統(tǒng)，供臺中廠使用，以測試SpiFlash序列式閃存的晶圓。這些內存采用序列外圍接口(SPI)，廣泛使用于PC、移動電話和其
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450mm晶圓將緩行
為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和利潤，近年來晶圓面積不斷擴大，大約每10年升級一次。1991年業(yè)界開始投產(chǎn)200mm晶圓，2001年起步向300mm晶圓過渡，依次類推，ITRS(國際半導體技術發(fā)展路線圖)和摩爾定律都認為，2012年是向走向
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東芝NAND閃存將減產(chǎn)30％，其他半導體生產(chǎn)也將調整
東芝宣布，2009年1月開始，將在該公司的NAND閃存生產(chǎn)基地四日市工廠（三重縣四日市市）進行生產(chǎn)調整。將把該工廠的產(chǎn)量削減30％左右。由于全球經(jīng)濟衰退，以面向內存卡及便攜式媒體播放器為主的閃存市場需求低迷，供給
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450mm晶圓緩行
為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和利潤，近年來晶圓面積不斷擴大，大約每10年升級一次。1991年業(yè)界開始投產(chǎn)200mm晶圓，2001年起步向300mm晶圓過渡，依次類推，ITRS(國際半導體技術發(fā)展路線圖)和摩爾定律都認為，2012年是向走向
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聯(lián)電積極開展18英寸晶圓研發(fā)
聯(lián)華電子（United Microelectronics Corporation，UMC，）日前緊隨半導體代工龍頭臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，TSMC）宣布，該公司也在積極開展18英寸研發(fā)。聯(lián)電CEO Shih-Wei Sun表示，正是
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SUMCO追加太陽電池用晶圓設備投資170億日圓
據(jù)國外網(wǎng)站報道，在全球半導體晶圓市場排名第二的SUMCO大幅增加太陽電池用晶圓之擴產(chǎn)投資。位于佐賀縣、興建中的新廠追加投資170億日圓，在2年后將產(chǎn)能提高為目前之5倍。太陽電池用晶圓市場近來由于硅原料供貨商、太
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應用材料投身3D IC TSV技術研發(fā)
看好未來3D IC市場的發(fā)展，應用材料日前宣布將加強投入通孔硅(TSV)技術的研發(fā)。由于包括DDR4、DRAM及通信芯片的尺寸要求微縮、但速度要求更快、功能要求更強大，因此3D IC需求飛速提升，也帶動了TSV技術未來的發(fā)展。
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AMD未來產(chǎn)能藍圖:每月25000塊晶圓
繼前段時間AMD獲阿聯(lián)酋Abu Dhabi（阿布扎比）財團84億美元的融資之后，AMD此前計劃在紐約新建的晶圓廠Fab4x，該廠將會有AMD與阿布扎比共同成立的公司The Foundry Company負責運營，盡管AMD從紐約市政府那里獲得了12億
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三星搶下賽靈思40nm訂單 威脅晶圓雙雄
據(jù)中時電子報報道，市場不景氣、又有人來搶單。聯(lián)電IC設計大客戶賽靈思（Xilinx）傳將40納米訂單轉投三星電子，引起市場嘩然。賽靈思是聯(lián)電前五大客戶之一，如今琵琶別抱，代表三星、特許等IBM通用平臺聯(lián)盟成員在爭取
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東芝兩大工廠將暫停9天芯片生產(chǎn)
北京時間12月5日消息，據(jù)日本媒體報道，由于需求疲軟，全球第二大NAND閃存廠商東芝將讓旗下兩座工廠暫停9天芯片生產(chǎn)，這是其七年來首次暫停生產(chǎn)。消息稱，東芝旗下兩座工廠將在12月27至1月4日間停產(chǎn)，為自2001年以來
