這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏,同時用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來。設(shè)計這種電路是為了用LED對手電筒進行改進。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池,LED裝置則
近些日子,IBM、三星等研制3D芯片的消息層出不窮,在集成電路芯片上晶體管越來越密,硅晶體管在尺寸上達到極限時,為了提升芯片的性能,除了在結(jié)構(gòu)上引入3D改進外,尋早另外一種材料突破硅晶極限也頗為重要。前些日子
MEMS-JFET構(gòu)造 美國半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機構(gòu)Semiconductor Research (SRC)與康耐爾大學(xué)(Cornell University)合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)(MEMS)晶體管,并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用,做為CMOS芯片上的時序(timing
美國半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機構(gòu)Semiconductor Research (SRC)與康耐爾大學(xué)(Cornell University)合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)(MEMS)晶體管,并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用,做為CMOS芯片上的時序(timing)解決方案。 這種MEMS-JFET元
ARM是誰?ARM,誕生于劍橋,距離劍橋大學(xué)十英里遠(yuǎn)的鄉(xiāng)間。ARM,成為微軟公開認(rèn)證的英特爾對手。然而,ARM究竟是誰?一、ARM—低調(diào)的隱形超級芯片帝國ARM從沒生產(chǎn)過一顆芯片,但它卻像是一個隱形芯片帝國。去年全
ARM:低調(diào)的隱形超級芯片帝國,誰在革英特爾的命
過去,RF功率的性能完全取決于線性效率。如今,開發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn):需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對這一問題,飛思卡爾半導(dǎo)體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案
功率雙極晶體管由于其低廉的成本, 在開關(guān)電源中作為功率開關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命, 降低功率雙極晶體管的儲存時間、下降時間, 提高開關(guān)速度, 且一致性、重復(fù)性好, 成品率高,
近日,應(yīng)用材料公司宣布已成功完成對維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購。此次收購使應(yīng)用材料公司獲得了維利安公司市場領(lǐng)先的離子注入技術(shù),進一步拓寬了其廣泛的產(chǎn)品組合,并為其帶來每年近15億美元的市場機遇。“全世
近日,應(yīng)用材料公司宣布已成功完成對維利安半導(dǎo)體設(shè)備有限公司的收購。此次收購使應(yīng)用材料公司獲得了維利安公司市場領(lǐng)先的離子注入技術(shù),進一步拓寬了其廣泛的產(chǎn)品組合,并為其帶來每年近15億美元的市場機遇。&ldquo