3D晶體管初揭秘 英特爾馬宏升IDF演示原理

第1頁3D晶體管初揭秘 英特爾馬宏升IDF演示原理 2012年英特爾中國IDF信息技術(shù)峰會現(xiàn)場，中國區(qū)總裁馬宏升為現(xiàn)場的聽眾詳細(xì)介紹3D晶體管原理以及技術(shù)應(yīng)用。3D晶體管技術(shù)將被應(yīng)用在第三代智能酷睿處理器中，而它的眾多

Netronome攜其先進(jìn)的流處理器參加IDF

21ic訊 近日，關(guān)于Intel代工業(yè)務(wù)的新聞成為行業(yè)內(nèi)一大熱點：繼Archronix、Tabula之后，流處理器(flow processors)領(lǐng)先廠商Netronome又成了Intel 22nm新工藝的第三家客戶。Netronome表示，首款產(chǎn)品將使用3D Tri-Gate晶

LED PWM調(diào)光方法探討

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對其長期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

全碳納米晶體管耐揉且性能良好

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，一個日本研究團(tuán)隊開發(fā)出如一張紙般可被揉成團(tuán)的全碳納米晶體管，其電子性能卻不發(fā)生減退。該研究成果發(fā)表在美國《應(yīng)用物理快報》上。這項研究的合作者之一、東京大學(xué)的機(jī)械工程教授丸山茂

Netronome將采用英特爾22納米生產(chǎn)最高性能流處理器

Netronome將采用英特爾22納米生產(chǎn)最高性能流處理器

LED PWM調(diào)光方法探討

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對其長期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

淺談助聽器選配考慮因素及選配原則

前言什么是助聽器呢?助聽器 (hearing aid) 是一種供聽障者使用的、補償聽力損失的小型擴(kuò)音設(shè)備，從狹義上來說，助聽器就是一個電聲放大器（什么是監(jiān)護(hù)儀），通過它將聲音放大使聾人聽到了原來聽不清楚，聽不到的聲音

談智能手機(jī)的未來——計算是精彩體驗的推動力

年初的國際消費電子展（CES）展示了全球首款英特爾架構(gòu)智能手機(jī)——聯(lián)想K800。我有幸得到一部率先試用，感覺體驗超乎想象，不僅是高清圖片、視頻播放可以媲美市場上流行的智能手機(jī)，居然還能很好地運行3D游戲。 我?guī)?/p>

高增益LC諧振放大器的設(shè)計

摘要：采用分立元件設(shè)計了一個3級單調(diào)諧放大器，可用于通信接收機(jī)的前端電路，通過合理分配各級增益和多種措施提高抗干擾性，具有中心頻率容易調(diào)整、穩(wěn)定性高的特點。電路經(jīng)實際測試表明具有低功耗、高增益和較好的選

對數(shù)轉(zhuǎn)換電路--可獲得IP/十進(jìn)位輸出

電路的功能為了把大范圍的信號電平壓縮顯示，可使用對數(shù)電路，通常稱對數(shù)放大器，在電氣電路中多使用以10為底的常用對數(shù)，本電路是1V/十進(jìn)位、即10倍的變化引起1V變化輸出的電路。對數(shù)作為除法、乘法等運算電路的基本

日本制造業(yè)的放棄與選擇

在2011財年中，夏普預(yù)計凈虧損38億美元;索尼預(yù)計虧損29億美元，已是連續(xù)四年虧損;松下更是創(chuàng)下年度虧損之最，預(yù)計虧損102億美元;安全芯片巨頭爾必達(dá)也于日前申請破產(chǎn)保護(hù)。日本制造業(yè)的困局絕非孤立事件，而是全球消

光敏電阻(LDR)的光控開關(guān)電路圖

如圖電路，在有入射光時，該電路中接有光敏電阻LDR的晶體管接通高電平或零電平。晶體管放大系數(shù)取B>100就已足夠，光敏電阻阻值在100～100k歐之間，分別對應(yīng)于有光照射和暗時的情況。如果要想控制較大功率的負(fù)載，則應(yīng)

多功能晶體管測試電路

晶體管電離報警電路

系統(tǒng)電源循環(huán)通斷的測試儀

上電循環(huán)測試非常重要，因為它測試的是用戶環(huán)境。設(shè)計不良的系統(tǒng)板或芯片會造成上電循環(huán)測試失敗。此外，對系統(tǒng)板工作臺測試時，上電循環(huán)測試的設(shè)置可能需要采用沉重而昂貴的商用電源。當(dāng)你需要同時測試多塊系統(tǒng)板時

單晶體管溫度遙測儀

附圖電路是只用一只晶體管的簡易溫度遙測儀，他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù)，用AM短波收音機(jī)接收。實現(xiàn)溫度遙測。圖1電路是一產(chǎn)生間隙脈沖的發(fā)射機(jī)。利用晶體管Tr1對線圈電流的通、斷進(jìn)行控制，發(fā)

采用硅晶體管作傳感器的溫度測量電路

14nm制造工藝會是硅芯片尺寸的盡頭嗎？

　　近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實驗室中被研制成功，業(yè)界開始有了擔(dān)憂?！　?jù)摩爾定律所說，集成在同一芯片上的晶體管數(shù)

人們懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

先進(jìn)移動平臺用戶采用Soitec全耗盡（Fully Depleted）技術(shù)

北京， 2012年3月14日 —— 全球領(lǐng)先的電子和能源行業(yè)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)制造商 Soitec （Euronext）今天宣布，無線平臺和半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）開發(fā)設(shè)計其下一代移動處理器