十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點；但在 7納米

22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

賽靈思發(fā)布利用68億個晶體管打造的可編程邏輯器件

21ic訊 賽靈思公司 （Xilinx, Inc.）日前宣布推出首批 Virtex®-7 2000T FPGA，這是利用68 億個晶體管打造的世界容量最大的可編程邏輯器件，為客戶提供了無與倫比的200 萬個邏輯單元，相當(dāng)于 2,000 萬個 ASIC 門，

22納米3D晶體管技術(shù)

Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，使

英特爾3D三柵極晶體管設(shè)計獲年度科技創(chuàng)新獎

10月21日上午消息，《華爾街日報》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變。這項革命性成果，其關(guān)鍵

Intel：22nm Ivy Bridge已開始量產(chǎn)

Intel在昨日的季度財務(wù)會議上公開確認(rèn)，下一代新工藝22nm已經(jīng)正式投入批量生產(chǎn)。3-D立體晶體管就要來了，IvyBridge就要來了。IntelCEOPaulOtellini告訴分析人士：“第三季度內(nèi)，我們使用22nm工藝開始了IvyBridge的量

新式晶體管能傳輸質(zhì)子流 有望開發(fā)新設(shè)備

人類的各種用電器，從電燈泡到iPod都是通過電子來傳輸信息，而人體和其他生物自身卻是用離子和質(zhì)子來傳輸信號并執(zhí)行任務(wù)。據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，華盛頓大學(xué)材料科學(xué)家制造出一種能傳輸質(zhì)子流的新式晶體管，

科學(xué)家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機存儲設(shè)備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學(xué)學(xué)會

單極晶體管長時間定時器

半導(dǎo)體業(yè)將煥發(fā)新春 專家的新觀點

曾有人認(rèn)為，過去幾十年給人類文明和科技進步帶來重大影響的半導(dǎo)體業(yè)已是日薄西山。但8日在美國硅谷出席一個科技會議的專家們指出，隨著無線通信等蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體業(yè)有望迎來新的春天。 硅谷最大的華人半導(dǎo)體專業(yè)組

硅谷專家認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)將煥發(fā)新春

曾有人認(rèn)為，過去幾十年給人類文明和科技進步帶來重大影響的半導(dǎo)體業(yè)已是日薄西山。但８日在美國硅谷出席一個科技會議的專家們指出，隨著無線通信等蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體業(yè)有望迎來新的春天。 硅谷最大的華人半導(dǎo)體

“潛力股”光子晶體牽出“遙科學(xué)”大未來

中科院物理研究所研究員李明是個“幸運兒”，他所負(fù)責(zé)的空間復(fù)合膠體晶體生長實驗，是天宮一號里唯一的一項空間科學(xué)實驗。此刻，李明在北京大后方進行緊張的工作；在酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心前線，中科院物理所副所長、載人

晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采

“把質(zhì)量放在第一位”—訪羅姆半導(dǎo)體（中國）有限公司董事兼總經(jīng)理 張駒

羅姆半導(dǎo)體（中國）有限公司隨著中國IT產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，羅姆半導(dǎo)體（中國）有限公司本著“質(zhì)量第一”的企業(yè)理念，將以市場為導(dǎo)向，以客戶為上帝，生產(chǎn)出更多﹑更好的半導(dǎo)體產(chǎn)品，滿足消費者的需求。 &

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、

利用晶體管飽和特性的非選擇性三倍頻器電路圖

太陽能處理器震撼曝光，晶體管能耗極低

Intel CEO Paul Otellini在演講期間展示了一項非常有趣的研究：“太陽能處理器”。一顆“裸奔”中的原型芯片，無需任何散熱片或者散熱器，只依靠一塊郵票大小的太陽能電池。 1 2 3 4 5 這